学科分类
/ 25
500 个结果
  • 简介:为促进核工业发展,北京核仪器厂最新研制生产了BH1217半导体探测器弱α、β测量仪、BH1227四路低本底α、β测量仪、BH1216低本底α、β测量仪、BH3105中子剂量当量仪及BH6012二维骨密度仪,并已于1995年8月取得北京市技术监督局颁发CMC计量仪器生产许可证。BH1217半导体探测器弱α、β测量仪可用于环境放射性样品(沉降物、空气、水、土壤及生物试样等)测定,也可广泛应用于商品检验、食品卫生、放射性医疗、气象及考古等领域。BH1216低本底α、β测量仪,BH1227四

  • 标签: 测量仪 半导体探测器 低本底 二维骨密度仪 中子剂量 食品卫生
  • 简介:随着科学技术进步,市场经济制度日臻完善,市场竞争日趋激烈。如何适应市场需要,生产出高质量产品以满足社会需要,已成为企业永恒主题。而高质量产品则需要完善计量检测手段来保证。现从以下几个方面联系我厂情况谈谈企

  • 标签: 产品质量 企业计量 市场经济制度 计量检测 科学技术 高质量
  • 简介:如何能保持并稳定提升一个企业产品质量和服务质量,并努力寻求改进机会,实现产品和服务质量提升,是每个企业面临课题和所要思考问题。文章结合金安公司铀矿生产实际,就如何加强质量管理、质量监督,努力提升产品和服务质量,坚持持续改进方面所做工作进行了分述和论述。

  • 标签: 产品 服务 质量 持续改进
  • 简介:多样化驱动系统(DiverseActuationSystem,简称DAS)作为核电厂纵深防御设计中重要组成部分,对核电厂运行安全起着非常重要作用。本文介绍了ACPR1000堆型多样化驱动系统设备总体结构和设计特点,系统控制层设备基于现场可编程门阵列(Field-ProgrammableGateArray,简称FPGA)技术实现,同时监控层提供了信息管理功能,在保证多样性前提下优化了人机交互功能,系统将应用于ACPR1000堆型核电厂,经适应性调整后能广泛应用于三代压水堆核电厂。

  • 标签: 多样化驱动系统 信息管理 多样性
  • 简介:IEC61577—2:2014描述了测量户外、室内及包括地下矿井在内工作场所中气载222Rn与220Rn活度浓度仪器特殊要求。本标准实际上适用于所有基于单点测量或连续测量电子测量仪器。IEC61577—1规定了用于测量不同类型仪器。新版本相对前一版本主要技术修改如下:一增加了有关性能新要求和试验;

  • 标签: 电子测量仪器 辐射防护仪器 氡衰变 产品 工作场所 地下矿井
  • 简介:对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001)衬底上生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜材料,应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直(a⊥)和平行(a||)于表面方向晶格常数与其厚度关系。研究结果表明,随着PZT厚度增加,a⊥增加,而a||减小。这种晶格常数变化,不能用一般薄膜弹性畸变来解释,我们归结为晶体尺寸效应起了很大作用。X射线衍射测量结果表明,随着PZT厚度增加,其晶粒尺寸也增加。

  • 标签: PZT薄膜 晶格常数 厚度 铁电薄膜 X射线衍射
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:利用溶胶法制备出不同粒度聚乙烯醇(PVA)包覆下硫化亚铁(FeS)纳米颗粒,探讨反应物浓度对产物影响。对FeS进行了物性表征,同时进行了高压衍射相变研究。

  • 标签: FeS纳米颗粒 制备 表征 溶胶法 聚乙烯醇 包覆
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:根据《放射性同位素与射线装置安全和防护条例》[1]要求和核技术应用单位监管实际情况,对核技术应用单位向监管部门提交安全和防护状况年度评估报告内容和格式提出了具体要求,为核技术应用单位编写年度评估报告具有借鉴作用。

  • 标签: 辐射安全 评估报告 格式与内容
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力释放导致享晶和其它缺陷形成。由于缺陷形成在缺陷附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比偏离和杂质非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上孪晶。本文中讨论了上面提到孪晶模型实验证据和如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷