学科分类
/ 1
5 个结果
  • 简介:Moleculardynamics(MD)simulationswereperformedtoinvestigateF+continuouslybombardingSiCsurfaceswithenergiesof100eVatdifferentincidentanglesat300K.Thesimulatedresultsshowthatthesteady-stateuptakeofFatomsincreaseswithincreasingincidentangle.Withthesteady-stateetchingestablished,aSi-C-Freactivelayerisformed.ItisfoundthattheetchingyieldofSiisgreaterthanthatofC.IntheF-containingreactionlayer,theSiFspeciesisdominantwithincidentangleslessthan30o.Forallincidentangles,theCFspeciesisdominantoverCF2andCF3.

  • 标签: 碳化硅 蚀刻 MD 入射角度 分子动力学 稳定状态
  • 简介:重点研究了NUREG-1860中推荐的F—C曲线,阐述了建立该曲线的考虑,详细说明了F—C曲线中的频率和后果限值的确定方法,简要对比了下一代核电厂(NGNP)使用的F—C曲线和英国健康和安全委员会(HSE)推荐的F—C曲线,论述了如何使用F—c曲线确定许可基准事件(LBE)使其满足监管限值和监管要求,同时,给出了对我国风险指引型监管技术研究的建议。

  • 标签: F-C曲线 风险指引型监管 LBE 概率风险评价
  • 简介:本文利用同步辐射角分辨光电子谱研究了f.c.c.Fe与Cu{111}之间的界面。观察到了位于表面布里渊区中K点附近的界面态,表明它是一个有序的界面。垂直出射的价带谱表明外来Fe原子对衬底Cu{111}的能带结构无任何影响。这与互混的Co/Cu{111}的结果不同,表明界面处不存在Fe与Cu原子之间的互混。

  • 标签: 角分辨光电子谱 f.c.c.Fe/Cu{111} 界面 磁控溅射
  • 简介:ThisworkinvestigatedC2F6/O2/ArplasmachemistryanditseffectontheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kdielectricsin60MHz/2MHzdual-frequencycapacitivelycoupleddischarge.FortheC2F6/Arplasma,theincreaseinthelow-frequency(LF)powerledtoanincreasedionimpact,promptingthedissociationofC2F6withhigherreactionenergy.Asaresult,fluorocarbonradicalswithahighF/Cratiodecreased.Theincreaseinthedischargepressureledtoadecreaseintheelectrontemperature,resultinginthedecreaseofC2F6dissociation.FortheC2F6/O2/Arplasma,theincreaseintheLFpowerpromptedthereactionbetweenO2andC2F6,resultingintheeliminationofCF3andCF2radicals,andtheproductionofanF-richplasmaenvironment.TheF-richplasmaimprovedtheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kfilms,leadingtoahighetchingrateandasmoothetchedsurface.

  • 标签: 等离子体化学 放电特性 蚀刻 薄膜 双频率 功率LED