简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：高电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更加严格的要求，具有高导热及良好综合性能的新型封装材料的研究和开发显得更加重要。本文综述了一种新型的封装复合材料环氧树脂，碳纤维复合材料。对复合材料的热传导性能．电传导性能以及热机械性能进行了分别讨论。

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要，向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发展的方向之一。本文阐述了金属基体、增强体及其体积分数、制备工艺对复合材料热性能的影响。

简介：微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发.本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向.

简介：简要论述了金属封装材料、陶瓷封装材料、塑料封装材料的性能特点,以及各自作为封装材料存在的性能缺陷,并着重阐述了金属基复合材料作为电子封装材料的性能优势及其在电子封装技术中的发展现状,展望了金属基复合材料的发展趋势及应用前景.

简介：封装技术对LED性能的好坏、可靠性的高低，起着至关重要的作用。LED要作为光源进入照明领域，必须比传统光源有更高的发光效率、更好的光学特性、更长的使用寿命和更低的光通量成本。

简介：跨学科合作将是提高性能和降低成本的关键全球化、外包和其他相关现象对产品开发机构提出了严峻的挑战,比如如何加快产品投入市场的时间,如何在后期根据市场变化或客户需求来迅速调整前期的设计以及如何不断地利用设计创新来降低生产成本等。

简介：采用气压浸渗法制备中体积分数电子封装用Al/Si/SiC复合材料。在保证加工性能的前提下,用与Si颗粒相同尺寸（13μm）的SiC替代相同体积分数的硅颗粒制得复合材料,并研究其显微组织与性能。结果显示,颗粒分布均匀,未发现明显的孔洞。随着SiC的加入,强度和热导率将得到明显提高,但热膨胀系数变化较小,对使用影响也不大。讨论几种用于预测材料热学性能的模型。新的当量有效热导被引入后,H-J模型将适用于混杂和多颗粒尺寸分布的情况。

简介：

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：摘要: 本研究探讨了电子元器件的封装及封装技术的创新。电子元器件的封装是保护和连接电子芯片的重要过程，对于电子产品的性能和可靠性起着关键作用。随着科技的进步和市场需求的变化，传统封装技术已经面临一些挑战，需要不断创新来提高封装效率和质量。本研究提出了几个封装技术创新的方向，包括三维封装技术、薄型封装技术和可重配置封装技术。这些创新技术能够提高电子元器件的集成度、减小封装尺寸、提高散热效果以及降低生产成本。通过深入研究和实验验证，这些封装技术创新有望在电子行业中得到广泛应用，推动电子产品的发展和进步。

简介：摘要：

简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

简介：NedCard推出MicroSON-3SMD,采用NXP的兼容UHFGen2v2的UCODE8和UCODE8mRFID芯片.MicroSON-3是一种小型无引线（SON）SMD封装,可通过PCB板嵌入到工业应用中.

简介：

简介：摘要：OLED封装技术对元器件的效率维持和期限的增加具备很重要的作用。高效的封装技术能使元器件使用寿命大大提高，在其中封装材料和封装行使方式也起到了非常重要的作用。OLED常见的封装行使方式，包含后盖板封装形式、塑料薄膜封装形式、Frit封装形式等。

简介：结合预制件一次性模压成型和真空气压浸渗技术制备具有双层结构的高体积分数（60%~65%）、可激光焊接Sip-SiCp/Al混杂复合材料。该复合材料的组织结构均匀、致密，增强相颗粒均匀地分布在复合材料中，Sip/Al-SiCp/Al界面均匀、连续、结合紧密。性能测试表明，Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有密度低（2.96g/cm^3）、热导率高（194W/（m·K））、热膨胀系数小（7.0×10^-6K-1）、气密性好（1.0×10^-3（Pa·cm^3）/s）等优异特性。焊接试验表明，Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有良好的激光焊接特性，其焊缝平整、致密，微观组织均匀，没有生成明显的气孔和脆性相Al4C3。同时，Sip-SiCp/Al混杂复合材料激光封焊后优异的气密性（4.8×10^-2（Pa·cm^3）/s）能够满足现代电子封装行业对气密性的严格要求。

简介：在军用电子元器件和民用消费类电路中，电子封装均起着举足轻重的地位。当今社会，电子技术日新月异，集成电路正向着超大规模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能的方向迅速发展，对集成电路的封装技术提出了愈来愈高的要求，使得新的封装形式不断涌现，新的封装技术层出不穷。文中介绍了一种新型的封装发展趋势——圆片级封装技术，主要详述了圆片级封装的概念、技术驱动力，列举了主要厂家圆片级封装技术的应用情况。

简介：摘要：现代社会发展中，微电子产品具有广泛应用，而高质量的微电子产品更可推动现代社会向着良好的方向发展。通过采用科学合理的方式进行封装，有效保障了微电子产品的质量，其中，键合铜丝半导体封装技术是较为常见的一种。基于此，本文通过对键合铜丝的简单介绍，同时列举了现有键合铜丝封装时的常见问题及相应的改进意见，以进一步提升微电子产品生产的良率。