简介：中美晶日前宣布，完成总额约90亿元的银行联贷案，主要用做收购日商Covalent半导体晶圆事业资金。中美晶表示，这次银行联贷案，由中国信托等银行共同筹组，中美晶分两项承贷。第一项由中美晶代表借款62亿元，第二项为中美晶日本子公司GWafersInc．代表借贷77．5亿日圆，合计共约90亿元资金。这次联贷将用来收购日商Covalent半导体晶圆事业。

简介：摘要：本文主要探究硅晶圆切割工艺。研究过程中，以激光隐形切割工艺为例，选择8寸硅晶圆，厚度450µm，99.9%纯硅为试验材料，光纤激光器为试验设备，结果表明激光功率、焦点位置、激光频率、光板重叠率、速度及加工次数均会影响切割效果，需结合实际情况，设置切割参数，从而为相关工作者提供参考。

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简介：摘要：晶圆清洗技术的原理是利用化学、物理或生物等作用，去除晶圆表面的有机物、无机物和金属杂质，提高晶圆的表面粗糙度和清洁度。晶圆清洗技术是半导体制造过程中的重要环节，它直接影响了晶圆的质量和性能。本文结合国内外学术文献信息，对晶圆清洗技术的原理、方法、应用和发展趋势进行了分析，为晶圆清洗技术的应用研究提供了更多参考信息。

简介：本文简要叙述了晶圆片级封装技术及其优越性，并概述了国内外对晶圆片级封装技术的研究状况和应用前景。

简介：建立在众所周知的原理基础上的热激光切割技术（thermallaserseparation,TLS）用于切割脆性材料。应用范围包括切割显示器玻璃（包括层状玻璃）、浮法玻璃生产线上的玻璃边缘、氧化铝陶瓷等。与其他的激光技术比较，用TLS取代机械法切割晶圆有诸多优点。本文论述了TLS在切割半导体硅片领域的应用。

简介：摘要

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简介：<正>据《SolidstateTechnology》2003年第3期报道,美国北卡州三角研发园区的Ziptronix公司新开发了不同半导体界面材料的键合技术,将微机电系统(MEMS)和声表器件(SAW)进行全晶圆级的封装。这一工艺技术进行各种灵活且低成本的设计,并使MEMS与IC技术匹配,而无需复杂的结构、测试和组装,这一工艺技术约占MEMS元件成本的

简介：<正>近日,台湾环保署增订石化业、石化专区污水下水道系统、晶圆制造及半导体制造业放流水标准,将氨氮、含氯或含苯等6项挥发性有机物以及DEHP等6项塑化剂列入管制。环署预估,将减少4000吨的氨氮排入河川水体,并可督促厂商谨慎处理含氯和含苯等致癌性较显著化合物、与加强制程废溶剂源头的管理。新增标准将管制石油化学业的河川与海洋管线放流水,其中苯、氯乙烯等6项挥发性有机物质,及DEHP、DNOP、DMP、DEP、DBP、BBP等6种塑化剂的含

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简介：摘要：本文简要介绍了国内半导体制造领域中晶圆位置检测的专利技术，并就重点专利申请中的检测技术进行分类阐述，以供相关从业人员学习和参考。

简介：摘要：本文简要阐述晶圆切割崩裂产生机理，从表面和背面两个角度出发，分析晶圆切割崩裂原因，再从晶圆厚度、加工参数、划片刀具等方面着手，探究晶圆切割崩裂的防范措施，旨在提供一些有益参考，规范以及优化集成电路封装工艺流程，推动电子技术创新发展。

简介：摘要：扇出型晶圆级封装在集成电路封装中受到越来越多关注，也被认为是延续和超越摩尔定律的关键技术方案。根据扇出型封装的工艺，本文详细介绍了扇出型晶圆级塑封在先进封装工艺中的节点，从技术、应用和市场方面分析了扇出型晶圆级塑封目前的研究成果以及成型技术对制品性能的影响。

简介：<正>《中国电子报》消息:6月2日,中芯国际首台12英寸晶圆生产设备进厂。此设备将用于中芯国际位于北京的12英寸晶圆制造厂,该厂是在我国建设的首座12英寸晶圆厂,该设备的进厂标志着我国IC制造业开始步入300mm时代。中芯国际12英寸晶圆厂已经拥有英飞凌和尔必达这些国际领先的合作伙伴,并且将在12英寸生产方面继续持谨慎态度,只有在客户需求的情况下,才会增加产能,到2005年底,中芯国际北京四厂的计划产能为45000片/月(以8英寸等值晶圆计算)。

简介：研究了半导体晶圆制造企业多厂区协同生产的订单分配计划问题,以产品的生产成本和运输成本之和最小为目标,构建了生产能力有限情况下的数学模型,提出了用于求解该问题的二进制粒子群算法方案,阐明了该算法方案的具体实现过程。对典型算例进行了仿真,结果表明,粒子群算法方案的有效性和可行性。

简介：在晶圆探针测试当中，常会由于测试环境或是针测机台参数的改变，使得针痕不正常偏移并打出开窗区，造成测试时的误宰，因而造成公司的损失。文章将就晶圆针测中，由于温度变化所造成的不正常针痕偏移进行分析与研究。

简介：摘要：晶圆测试是集成电路测试过程中的关键环节之一，这一生产环节的目的在于可以在封装工序之前将次品筛除，甄别出好的晶粒，而在测试过程中接触不稳定造成的假失效会影响晶圆的良品率。本文介绍了实验设计(DOE，design of experiment)在晶圆测试中的应用，通过优化探针卡磨针参数，减少接触问题导致的假失效，从而提高良品率。本文选取四个关键的磨针参数，设计了四因子二水平每个条件只重复一次的部分因子实验，通过DOE对磨针关键参数进行优化设置，减少了测试过程中的假失效，提高了晶圆的良品率。