简介：

简介：为探究放电后电荷重置对雷暴云电过程的影响,在已有的三维雷暴云起、放电模式中分别加入两种不同的电荷重置方案：一种是植入法即放电后闪电通道上的感应电荷与原空间电荷叠加（简称ZR方案）;另一种是中和法即放电后直接按一定比例降低闪电通道处的空间电荷浓度（简称ZH方案）。利用长春一次探空个例进行敏感性试验,发现放电后重置方式的不同会导致闪电特征存在明显差异：1）ZR方案下的云闪发生率比ZH方案下的云闪发生率少。闪电放电后ZR方案在云中植入异极性电荷,对雷暴云中电荷的中和量比ZH方案多,摧毁云中电场的能力更强;2）ZR方案下的正、负地闪发生率均比ZH方案多。相对于ZH方案,ZR方案中主正电荷区的分布范围大于主负电荷区,导致其出现了更多的正地闪;ZR方案中的云顶屏蔽层与主正电荷区的混合程度高,混合时间长,导致ZR方案在主正电荷区与主负电荷区之间触发了更多的负地闪;3）ZR方案下的闪电通道长度比ZH方案下的闪电通道长度短。ZR方案在云中植入异极性电荷,导致云中难以形成大范围同极性电荷堆,闪电通道传播局限在一对较小的异极性电荷堆内,而ZH方案不改变云中电荷分布,存在大范围同极性电荷堆,闪电通道传播范围较大。

简介：用Mathematica-10.3强大的数值计算和数字绘图能力,特别是绘制等值线和流线图的卓越功能,研究和比较了有限长均匀带电直线和带电导体直线两种电场的分布,绘制了电势和电场大小、等势线和电场线的分布图.这种方法绘制的等势线和电场线能满足＂等势线疏密程度反映电势变化的快慢＂和＂电场线疏密程度反映电场强弱＂的定性要求,避免了以往文献只能随意绘制的缺陷.

简介：摘要本文主要针对高电压绝缘测试技术中的小电荷问题进行了分析，明确了高电压绝缘测试技术的要点，并对如何有效开展高电压绝缘测试工作进行了研究，总结了高电压绝缘测试技术中小电荷测量的具体思路和方法，供参考与借鉴。

简介：为了给氧气/煤油发动机设计和热防护设计提供必要的设计参数,针对氧气/煤油燃气进行热力学计算。运用吉布斯最小自由焓计算模型得到燃气平衡组成,通过拟合公式的方法得到燃气的热物理参数及输运系数。通过计算,得到氧气/煤油燃气的组分及比焓、密度、比熵、粘性系数等热物理参数和输运系数随温度和压力的变化特性。分析结果表明：水离解对氧气/煤油燃气组分变化存在显著影响,压力增大会导致水离解起始温度升高;氧气/煤油燃气比焓、比熵、定压比热、粘性系数、热传导系数变化在温度较低时受压力影响较小,当水开始离解后,压力的影响显著增强;组分在燃气中的扩散系数同时受到了温度和组分摩尔分数的影响;燃气普朗特数变化受热传导系数变化的影响较大,水离解后,热传导系数的迅速增大使燃气的普朗特数迅速减小。

简介：摘要高压直流输电技术的发展对换流变压器绝缘系统的性能及安全稳定运行提出越来越高的要求，而空间电荷问题是影响和制约变压器油纸绝缘材料耐电强度，导致其老化和破坏的重要因素。本文对换流变压器阀侧绕组中承受直流电压的特点，设计了相应的试验装置。在对油纸绝缘中空间电荷进行直接观测的基础上，研究了直流条件下油纸绝缘的体击穿和沿面闪络问题，讨论了空间电荷对油纸绝缘体击穿和沿面闪络过程的影响，指出在换流变压器的设计制造过程中应对空间电荷问题引起重视。

简介：基于粒子输运蒙特卡罗模拟程序PHEN,建立了一种用于模拟γ射线入射闪烁晶体全响应过程的耦合输运计算方法。利用此方法对γ射线入射锗酸铋（BGO）晶体的响应过程进行了模拟计算,得到了能量为0.5-10.0MeV的γ射线在BGO晶体上的沉积能量、BGO晶体的相对灵敏度以及1MeVγ射线产生的可见光光子数分布,并将计算结果与用MCNP程序计算的结果及BGO晶体的发射光谱进行了对比分析。结果表明,用两种程序计算的沉积能量的差异小于1%,PHEN程序中经过耦合输运得到的可见光光子数分布与BGO晶体的相对发光特性符合较好,验证了本文方法的合理性和可靠性,为闪烁体探测器参数设计及优化提供了一种有效的数值模拟方法。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：文章使用matlab用户图形界面设计了一个计算和分析PN结空间电荷区宽度的可视化界面.通过分析PN结的形成,从理论上给出空间电荷区宽度的计算公式,讨论了影响空间电荷区宽度的因素,最终得到影响PN结空间电荷区宽度的主要因素为P区和N区的掺杂浓度NA和ND以及外加电压V.

简介：CMOS电荷泵锁相环的应用越来越广泛，这也加强了人们该内容的研究与分析。过去，受各方面技术原因的限制，CMOS电荷泵锁相环在具体应用过程中的能量消耗较大，这对其应用造成了一定的不良影响，而近几年随着各项技术的逐渐成熟，人们加强了对低功耗射频CMOS电荷泵锁相环设计的研究，从而满足低功耗、快速锁定要求。目前，人们在该项内容的研究上已经取得了一定的成绩，但是与期望的标准还存在一定差距。文章研究了一种低功耗射频CMOS电荷泵锁相环的设计。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.