简介：我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!

简介：<正>飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：根据保持共产党员先进性教育活动实施方案的安排．重庆市通信管理局4名党组成员采取作形势报告、专题讲座和谈心得体会等形式，结合通信监管实际．分别向全局广大党员干部上了4堂党课．起到了很好的带头示范作用，促进了全局先进性教育活动的顺利推进。

简介：日本千叶大学工程系中村雅一副教授和工藤一浩教授与日本化学技术战略推进机构共同组成的联合研究小组日前在2mm×2mm的区域中集成约2800万个有机晶体管元件，开发出驱动性能更高的芯片，并在3月22日～26日于东京武藏工业大学举办的日本“第53届应用物理学相关联合演讲会”上进行了发表。

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出37颗用于汽车的新款高压晶闸管和二极管。这些VishaySemiconductors公司的器件通过AEC—Q101认证，重复性电压从600V到1600V，电流范围宽，有3种封装可供选择。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

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简介：为贯彻落实我市2015年上半年信息通信业工作会议精神，近日，管局组织召开了2015年上半年电信市场监管专题工作会议。全市备电信企业市场、集客、渠道、政企等相关市场业务部门负责人参加了会议。

简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：<正>据物理学家组织网6月15日报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下,整个线路仍能工作。

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

简介：摘要：随着城市化进程的推进，地下管道的建设越来越重要。高强度地下通信管道用塑料管因其轻便、耐腐蚀、易加工等特性，逐渐成为地下管道建设的首选材料。本文主要讲述了高强度地下通信管道用塑料管的生产工艺和加工技术，包括原材料选用、管道生产工艺、管道加工技术等方面。通过对各种工艺和技术的分析和比较，提出了一种适合生产高强度地下通信管道用塑料管的生产工艺和加工技术，为地下管道建设提供了一种可靠、高效的解决方案。

简介：为全面落实质量强国战略和建设坚强智能电网的战略目标,深入贯彻统一标准、安全可靠、兼顾耐用的质量工艺管控要求,实现设备安装＂一次投运成功、一次成优＂建设目标,研究通过项目管理的全过程有效策划,系统性提出管控举措,从前期设计、设备供应、施工、验收等各个环节层层制订、严格落实管控措施,全面应用＂三通一标＂,出台实施常见病防治措施,明确标准工艺应用清单及细节要求,严格设备出厂监造,严格设备进场、安装和验收,并采用＂主要设备安装质量管控卡＂、＂标准化验收卡＂、＂投产检查表＂以及交流评比、评价考核等方式,实现变电站主要设备安装全过程质量管控成效的显著提升。

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简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：近年来，在行业的共同努力下，我市各基础电信运营企业校园电信业务经营行为不断规范。为学校及广大师生用户简单、怏捷地使用电信服务提供了极大的方便，受到了校园用户的普遍欢迎。但同时，个别电信企业、个别学校仍然存在寄卡、限制用户选择权等行为，扰乱了校园正常学习生活秩序，也给通信行业造成了不良的社会影响。为此，重庆管局从实际出发，通过超前部署、建立机制、加大巡查、联合治理等举措，维护了校园电信市场的公平、有序，保障了电信用户的合法权益。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。