简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：本文讨论了光伏-燃料电池混合发电系统的特征，以及超级电容的短期能量存储效应；指出了燃料电池-超级电容混合单元的优点，也即其对提高能量效率和延长燃料电池寿命的促进作用；提出了一个1．2KW的试验性系统，用于对新型最优化、预见性能麓管删算法进行测试；此外，本文还简要讨论了，一种新型的、用于对波动光电和负载时间序列进行预测的分类算法模型。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：MicrochipTechnologyInc．（美国微芯科技公司）近日宣布在其32位PIC32单片机系列中集成USB2．0On—The—Go（OTG）功能。集成的USBOTG有助于设计工程师以简易和性价比高的途径，满足最终产品对高级USB连接功能与日俱增的需求。PIC32系列不仅为嵌入式设计人员带来更高的性能及容量更大的存储器，还可在引脚、外设及软件等方面，保持与Microchip16位单片机及数字信号控制器（DSC）系列的兼容性。

简介：欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二极管，该产品是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步，将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

简介：

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。