简介：模块组合多电平变换器（ModularMultilevelConverter,MMC）是一种中高压大功率传动领域的新兴拓扑。本文研究了作为电机侧变换器和网侧有源前端变换器的MMC。通过样机系统的实验结果分析了直流耦合的多MMC系统在启动过程和稳态运行下的性能;系统的动态性能响应测试结果验证了MMC的级联控制方案,该方案同时可保证在各运行点下MMC内部能量的均衡分配。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：本文介绍高压SPT、（软穿通）-IGBT器件的开关自箝位模式，并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。

简介：传统开关磁阻电机（SRM）捌速系统的位置传感器对其推广应用带来了诸多限制，如结构复杂程度和系统成本提高、可靠性和坚固性降低等。鉴于滑模观测器对SRM内部非线性和外部扰动的良好的自适应性和鲁棒性，提出了一种基于滑模观测器的无位置传感器控制策略。以TMS320F2812DSP为控制核心对12／8极的开关磁阻电机进行了实验验证，证实了无位置控制策略的可行性和有效性，转矩脉动小、输出转矩大，具有良好的动态性能。

简介：TinySwitch-Ⅱ系列TNY264－268IC是智能型多控制功率的开关电源控制器件，其综合性能与成本超过前几代。本文介绍该系列电路的性能及应用。

简介：在航空变频电源供电的飞机上,自耦变压整流器（AutoTransformerRectifierUnits,简称ATRU）是一个重要设备,它的工作特性会受到电源频率的影响。论文通过仿真分析了ATRU的变压器在不同频率下的等效参数、输出电压、损耗等工作特性,接着分析了ATRU的输入电流谐波、输出电压与电源频率的关系,实验验证了仿真结果。该论文的研究成果为使用于变频电源的ATRU的设计提供了技术条件。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：在Bertotti分离铁耗计算模型的基础上,结合标准正弦供电时电机损耗,推导PWM控制逆变器供电下异步电机损耗的计算模型,该模型主要体现了逆变器参数与电机损耗之间的关系。在大功率和低开关频率的铁路系统中,利用上述模型更深一步地分析与总结了恒磁通和恒功率下铁损随运行频率与逆变器参数的变化规律,着重研究了低开关频率下同步调制策略对电机铁耗的影响,以一台7.5kW的电机铁损计算为例,验证了该模型的有效性与可行性,为大功率牵引传动系统电机效率提升的研究提供了参考依据。

简介：扼要介绍DC－DC变换器的发展走势，详细描述MD系列功率IC的特性及其在DC－DC变换器中的应用。

简介：本文研究了过压抑制电路的原理与特性,分析比对了几种过压抑制电路的工作特性。研究了HXD_2电力机车辅助变流系统的工作特性,利用Crowbar功率模块的技术特点实现在斩波系统中的过压抑制。本文重点描述了HXD_2机车Crowbar电路的电气结构、工作原理及设计准则,研制了样机并进行了分析试验。研究表明,过压抑制模块保护响应快,阀值设定可靠合理,对保护辅助供电系统过压有很好的作用。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：日前，西门子公司向市场投放了两款最新的多功能软起动器产品，它们是Sirius3RW40和Sirius3RW44。

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。