简介：<正>据美国每日科学网站7月27日报道,美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓,并让其呈现出某种特殊的状态,在这种状态下,电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用(由量子力学法则来解释)所掌控,这种超纯材

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简介：<正>手机进入4GLTE时代,不管是一线的苹果、三星,及二线如小米、华为、宏达电等厂商都推出新机抢市,使得砷化镓功率放大器(PowerAmplifier,简称PA)的需求陡增,国际大厂在手订单满溢,居于代工位置的国内相关业者,也先后在业绩上展现亮丽成绩单,且在苹果推出AppleWatch后,物联网商机开始

简介：工作在中、长波红外波段（波长5-12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp＊达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D＊分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

简介：只需优盘教你如何全面快速验本本各种病毒时至今日也可算是百花齐放了，搞得人心惶惶，一旦发现自己的电脑有点异常就认定是病毒在作怪，到处找杀毒软件，一个不行，再来一个，总之似乎不找蓟“元凶”誓不罢休一样，结果病毒软件是用了一个又一个，或许为此人民币是用了一张又一张，还是未见“元凶”的踪影，其实这未必就是病毒在作怪。

简介：台湾稳懋半导体是全球首座以六英寸晶圆生产砷化镓电路的专业晶圆代工服务厂。近期,稳懋完成了新一轮晶圆厂翻新扩张,对其第三家最新的晶圆厂（FabC）配备最先进的净化间、工艺线和砷化镓微波集成电路（GaAsMMIC）生产设备,以及复合半导体外延生长、制造和光学检测设备。稳懋主要提供HBT、pHEMT、集成BiHEMT方案和光学设备,用于功率放大器、WiFi、无线区域性网络基建和光学市场。

简介：有一种离子交换树脂能除去化学镀槽或蚀刻槽中含有络合物或螯合物中的铜和镍,数据显示,这种离子交换树脂对于在氨、强碱性和羧酸型螯合物溶液中除去铜和镍都是有效的。这种离子交换树脂在移动床离子交换设备中是可以连续处理的。

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简介：1、引言锡铅合金焊料在电子信息产品制造过程中广泛应用，在焊接过程中，由于高温氧化产生大量的氧化渣。氧化渣的主要成分为锡铅氧化物，属于含铅危险固体废物，其无序排放物对人类和环境具有极大的危害作用，为国家强制管理的危险固体废物范畴。

简介：洗涤剂是人们日常生活中的重要用品,也是工业生产过程中的必需品.我国近年来随着经济的发展.洗涤剂的生产量已达到400万吨/年.并以平均年3.4%的速度递增.洗涤剂的种类较多,如人们经常使用的有洗衣粉、餐具清洗剂、卫生间洗涤剂、地毯清洗剂、金属清洗剂、油污清洗剂及各种工业清洗剂等等.

简介：为了提高刚挠结合板的挠曲次数，往往把挠性区做成两层或两层以上的分层结构。这种结构就要使用到单面软板。两个单面挠板的粘合一般都使用丙烯酸胶膜。和刚板不同的是，挠板中的PI（聚酰亚胺）和丙烯酸都有很大的塑性。钻完刚性区通孔后，孔内的挠板区由于材料还有一定的弹性恢复就会有几微米到几十微米的尺寸突出。在该区域，它与孔金属化铜层之间结合力会非常低。为此，本文将通过优化试验参数，获得最佳的试验参数，并通过机理的研究，指导制作出平整，优良的孔壁，获得优良的金属化孔。

简介：在世界经济一体化进程不断加快的背景下,人们对电力系统运行可靠性的要求越来越高,与此同时,在人们越来越重视节能和追求可持续发展的过程中,不断在电力系统中应用新的能源来减少化石能源的消耗,含光伏电力系统就是在这种情况下产生并得到有效应用的。然而电力系统运行过程中,最重要的就是可靠性,只有较高的可靠性才能够保证人们的工作及生活顺利进行,在这种情况下,积极加强基于运行可靠性的含光伏电力系统优化调度探析具有重要意义。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：2013年2月16日，国家发改委发布2013年第21号令，针对2011年3月27日国家发展改革委公布的第9号令《产业结构调整指导目录（2011年本）》的有关条款进行了修正。第21号令中指出，为更好地适应转变经济发展方式的需要，根据《国务院关于发布实施〈促进产业结构调整暂行规定〉的决定》（国发[2005]40号），国家发改委同国务院有关部门对《产业结构调整指导目录（2011年本）》有关条目进行了调整，形成了《国家发展改革委关于修改〈产业结构调整指导目录（2011年本）》有关条款的决定》，现予公布，自2013年5月1日起施行。

简介：第二代曲波变换除了具有一般小波变换的多尺度和时频局部特性外,还满足各向异性尺度关系,能够很好表示图像边缘和平滑区域.提出了一种改进的基于第二代曲波变换的低照度彩色含噪图像增强算法.该算法利用YUV色彩空间的折衷因子及改进的增益函数,分段抑制、提升或保持曲波系数,有效地抑制了噪声,预防增强过度.试验结果表明,与传统的基于小波变换算法相比,该算法不仅能抑制噪声,而且能使低照度下图像边缘和平滑部分得到最优恢复,有效提高彩色含噪图像增强质量.

简介：对于外层挠性金手指有PI增强结构刚挠板,现阶段制作生产效率极低,品质很难管控。对于此类刚挠板的制作,本文开发了一种新的制作工艺,可以节省成本,做至较高成品率。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。