简介:摘要硬度是指物体抵抗外力对其进行变形的能力。这种抵抗力越强,则硬度值越高;反之,硬度就越低。可以简单理解为硬度是用一种较硬的金属划入另一种相对较软的金属表面,观察测量其划痕深度、大小,对被测量金属进行近似值描述。划痕的本质也是金属材料综合力学性能的一个反映,在硬物压入初期金属材料表现出弹性变形,当出现塑性变形时表现出材料的强度大小。良好的科技发展使得以前无法解决的硬度测试及复杂零件的难测试点都能得以实现。
简介:摘要目的研究硒元素对芍药愈伤组织细胞生长和次级代谢产物积累的影响。方法将愈伤组织接种于添加了不同质量浓度的亚硒酸钠的培养基中,收获时测定其鲜重和有效成分芍药双苷的含量。结果低质量浓度的亚硒酸钠不仅能促进芍药愈伤组织的生长,还能大幅度增加活性成分芍药双苷的积累,与未添加之前相比提高了45%,而高质量浓度的亚硒酸钠则会导致愈伤组织褐化,抑制细胞正常生长及对芍药双苷的积累。结论培养基中亚硒酸钠浓度低于10.0mg/L时能促进愈伤组织细胞生长及芍药双苷的积累。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。