简介：

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。