简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：以水合氯化钌和乙醇钠为原料，首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化，以2：1的氮氧比为载气，在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌，证实了Ru02薄膜的晶体结构，晶粒尺寸为21．4nm。通过电化学测试，RuO2薄膜的容量可达0．818F／cm2（549F／g），充放电性能良好。经1000次循环测试，剩余容量仍然可达到初始容量的92．1％，同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗，有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。

简介：在传统的纳米压痕实验中,常采用已知折减弹性模量的标准试样经过多组压痕实验的方法求得面积函数A.然而,这种常用的方式所求得的面积函数,在压痕接触深度非常小的情形下会造成较大误差.本文针对玻氏压头,采用纳米压痕实验修正其在小压深范围内的面积函数,然后通过修正后的面积函数,使其在小压深范围内测量的材料硬度值接近于真实值.

简介：无压浸渗法是一类先进的金属基复合材料制备方法。总结了无压浸渗方法制备陶瓷增强金属基复合材料的工艺特点及国内外的研究现状，分析了影响无压浸渗工艺的主要因素及存在的问题，探讨了该工艺的可能机理，并指出了该工艺存在的问题和今后的研究重点。

简介：在降低铝电解电耗工作的诸多方案中，降低系统各部位欧姆电阻是最直接、最有效的硬性方法，它与工艺参数、电解工人的操作水平基本不存在关联性，简单易行，无副作用，不需固定资产投资，成本及投入产出比极低。当系统欧姆电阻降低之后，选择降低电耗的技术路线有两条：一是直接降低电解槽设定电压；二是不降低槽电压而使极距自然提高，从而提高电效、降低电耗。两条路线有着异曲同工之妙。

简介：研究了高纯煤沥青作为粘结剂应用于高纯石墨制备过程中的混捏、辊压工艺，对高纯煤沥青各组分及结焦值进行了测定，考察了配料比、混捏温度、混捏时间、辊压温度、辊压次数等因素对混捏、辊压过程中物料的均匀程度、塑性及成型效果的影响。确定了最佳工艺条件：混捏配料比为1：0．8、混捏温度为140℃、混捏时间为lh、辊压温度为140℃、辊压次数2～3次。结果表明，采用高纯煤沥青作为粘结剂应用于高纯石墨制备过程中的混捏、辊压工序，其各项性能指标满足国内外煤沥青粘结剂指标的要求，不仅具有较强的粘结性能，且杂质含量极低，能够满足高纯石墨制备对原料纯度的要求。混捏及辊压工序直接关系到后续高纯石墨产品的成品率。在此条件下，所得物料混合均匀、塑性好、糊料成型效果好且产品表面光洁致密度高，为下一步等静压提供了合格的原料。

简介：用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La0.8Ln0.2）2/3Ca1/3MnO3（Ln=La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu）纳米级晶体。对比在La被其它镧系元素部分替代后，引起的A位离子平均半径的改变和磁矩变化对电输运及磁阻性能的影响，实验分析表明，各个样品在同样大小磁场下的磁电阻存在较大的差别，样品的磁电阻随原子序数的增加而明显变大，由镧系收缩引起晶格畸变所产生的本征磁电阻占主导地位，随着外加磁场的增加，不同掺杂样品间的峰值电阻差异被弱化；各掺杂样品间的转变温度差与掺杂离子半径差和磁矩差密切相关，且离子半径的差异对转变温度的改变贡献更大。