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基于SOI工艺集成电路ESD保护网络分析与设计

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摘要由于SOI（Silicon-On-Insulator）工艺采用氧化物进行全介质隔离，而氧化物是热的不良导体，因此SOIESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI（PDSOI）工艺的数字信号处理电路（DSP）的ESD设计理念和方法，并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析，找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化，并经流片及实验验证，较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。

DOI 7j6glxopd0/1323566

作者胡永强;周晓彬

机构地区不详

出处《电子与封装》 2014年3期

关键词集成电路 ESD保护设计可靠性

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2014年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子与封装

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