KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究-中国期刊网

摘要研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著，KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

1胡秀琴;李可;彭祖建;官文栎;程传福;路庆明;马长勤;王绪宁;牟其善. 利用原子力显微镜研究KTiOAsO4晶体的铁电畴.物理,2001-02.
2牟其善;程传福;等. KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究.核技术及应用,2000-01.
3刘希玲;马长勤;等. LiNdP4O12晶体的生长缺陷.核技术及应用,2000-01.
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6胡秀琴;马长勤;等. Cr：KTiOPO4晶体缺陷的研究.核技术及应用,2000-01.
7胡小波;田玉莲;等. NdxY1—xAl3（BO3）4（NYAB）系列晶体中的生长缺陷.核技术及应用,1998-01.
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9董皓辛玉龙罗晓斌曹愉凯. 提高晶体生长速度的研究.建筑设计及理论,2018-12.
10蒋建华. 同步辐射X射线形貌术在晶体生长和缺陷研究中的应用.核技术及应用,2000-01.

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