首页 > 《广东开放大学学报》 > 2018年3期 > InGaN基可见光光电二极管研究进展

InGaN基可见光光电二极管研究进展

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,InGaN基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,InGaN/GaNMQWs为有源层结构和InGaN体基结构光电二极管都表现出暗电流较大,外量子效率较低,探测带边接近紫外范围等缺点。虽然通过器件工艺和结构设计,可以提升器件的性能,但是InGaN材料外延技术方面的突破才是器件提升性能的根本。

DOI odw8xvz3dk/1854880

作者黎斌;卫静婷;谭露雯

机构地区不详

出处《广东开放大学学报》 2018年3期

关键词 INGAN 可见光光电二极管 InGaN/GaN多重量子阱金属-半导体-金属金属-半导体 P-I-N

分类 [文化科学][教育学]

出版日期 2018年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）