薄膜光学理论与膜系设计

O484.42003021190稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特征=PhotoluminescencepropertiesinNd,Ce-implantedSi-basedfilms[刊,中]/元美玲(南昌大学物理系.江西,南昌(330047)),刘南生…//发光学报.—2002,23(3).—291-295测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小、粗糙度将影