2013年1月13日，由北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接800A／1700VIGBT项目通过了电力电子行业组织和主持的科技成果鉴定会，鉴定委员会认为该项目在国内首次设计了IGBT和FRED芯片精确定位的整体模架结构，首次设计使用了IGBT芯片精密栅极组件，研究开发了用钼片补偿IGBT和FRED芯片厚度不同的精密公差配合技术，首次采用全压接平板精密陶瓷外壳结构和真空充氮冷压焊密封等技术，开发出全压接平板IGBT产品。解决了焊接IGBT模块易产生焊接空洞、焊接材料的热疲劳、键合点的脱落和单面散热效率低下等难题，具有较强的抗冲击震动和耐疲劳的能力，可靠性高。技术创新点突出，已申请相关发明专利；样品经中国北车西安永电电气有限责任公司测试，符合项目承担单位产品技术条件的要求；样品经用户试用，满足使用要求。
