上海微系统所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获进展

中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯／六方氮化硼平面异质结研究取得新进展，研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯／六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于wSe2／MoS2二维光电探测器件。