SOICMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0．8μmSOICMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路，并且给出了SOICMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系，试验电路通过了总剂量500Krad（Si）钴60γ射线辐照实验．
电子与封装
2006年8期
