CMOS集成电路电阻的应用探析

姜林汛

关键词 CMOS 集成电路;电阻:应用

在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件 却是必不可少的如果设计不当会对整个电路有很大的影响并且会使芯片的面积很大 从而增加成本电阻在集成电路中有极其重要的作用他直接关系到芯片的性能与面积及其成本。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻.MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法目前在设计中使用的主要有3种电阻器多品硅MOS管以及电容电阻在设计中要根据需要灵活运用这3种电阻使芯片的设计达到最优

1CMOS集成电路的性能及特点

1.1功耗低CMOS集成电路采用场效应管且都是互补结构工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态电路静态功耗理论上为零。实际上由于存在漏电流 CMOS电路尚有微量静态功耗单个门电路的功耗典型值仅为20mW动态功耗(在1MHz工作频率时)也仅为几mW1.2工作电压范围宽CMOS 集成电路供电简单供电电源体积小基本上不需稳压国产CC4000 系列的集成电路可在318V 电压下正常工作。

1.3逻辑摆幅大。CMOS 集成电路的逻辑高电平”1”逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位 VDD 及电影低电位 VSS。当VDD=15V VSS=OV 时输出逻辑摆幅近似15V。因此CMOS 集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的

1.4抗干扰能力强。CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%保证值为电源电压的30%，随着电源电压的增加噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V 的供电电压(当VSS=OV 时)电路将有7V 左右的噪声容限。

1.5输入阻抗高。CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络 故比一般场效应管的输入电阻稍小但在正常工作电压范围内 这些保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流通常情况下等效输入阻抗高达103010112，因此CMOS 集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。

1.6温度稳定性能好由于CMOS 集成电路的功耗很低内部发热量少而且CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性在温度环境发生变化时某些参数能起到自动补偿作用,因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路工作温度为-550+125C;塑料封装的电路工作温度范围为-450+85°Co

1.7扇出能力强，扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的，由于CMOS集成电路的输入阻抗极高因此电路的输出能力受输入电容的限制但是当CMOS集成电路用来驱动同类型如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。

2CMOS集成电路电阻的应用

2.1多晶硅电阻集成电路中的单片电阻器距离理想电阻都比较远在标准的MOS工艺中最理想的无源电阻器是多晶硅条p为电阻率t为薄板厚度 ;R=(p)为薄层电阻率LW 为长宽比。由于常用的薄层电阻很小 通常多晶硅最大的电阻率为 100 而设计规则又确定了多晶硅条宽度的最小值 因此高值的电阻需要很大的尺寸由于芯片面积的限制 实际上是很难实现的当然也可以用扩散条来做薄层电阻 但是由于工艺的不稳定性 通常很容易受温度和电压的影响很难精确控制其绝对数值，寄生效果也十分明显无论多晶硅还是扩散层他们的电阻的变化范围都很大与注入材料料中的杂质浓度有关不容易计算准确值由于上述原因在集成电路中经常使用有源电阻器

2.2MOS 管电阻

MOS管为三端器件适当连接这三个端MOS管就变成两端的有源电阻这种电阻器主要原理是利用晶体管在一定偏置下的等效电阻可以代替多晶硅或扩散电阻 以提供直流电压降或在小范围内呈线性的小信号交流电阻，在大多数的情况下获得小信号电阻所需要的面积比直线性重要得多，一个MOS 器件就是一个模拟电阻与等价的多晶硅或跨三电阻相比 其尺寸要小得多，简单地把n沟道或p沟道增强性MOS管的栅极接到漏极上就得到了类似MOS晶体管的有源电阻，对于n沟道器件应该尽可能地把源极接到最负的电源电压上这样可以消除衬底的影响。同样p沟道器件源极应该接到最正的电源电压上。此时VGSVDSMOS晶体管偏置在线性区工作有源电阻跨导曲线ID-VGS的大信号特性这一曲线对n沟道p沟道增强型器件都适用，可以看出电阻为非线性的但是在实际中由于信号摆动的幅度很小所以实际上这种电阻可以很好地工作，其中 :' =uOCOX。可以看出，如果 VDS<(VGS-VT)，则ID与VDS 之间关系为直线性 (假定VGS与VDS 无关由此产生一个等效电阻 R=KLW K=1/ uOCOX(VGS-VT)],0为载流子的表面迁移率.COX 为栅沟电容密度值通常在1000~3000实验证明在VDS<0.5(VGSVT时近似情况是十分良好的虽然可以改进电阻率的线性 但是牺牲了面积增加了复杂度。

在设计中有时要用到交流电阻 这时其直流电流应为零。所示的有源电阻不能满足此条件,因为这时要求其阻值为无穷大，显然这是不可能的，这时可以利用 MOS 管的开关特性来实现。

3电容电阻

交流电阻还可以采用开关和电容器来实现，经验表明 如果时钟频率足够高 开关和电容的组合就可以当作电阻来使用，其阻值取决于时钟频率和电容值

在特定的条件下 按照采样系统理论 在周期内的变化可忽略

不计。

其中 fc=1T 是信号1和2的频率，这种方法可以在面积很小的硅片上得到很大的电阻例如,设电容器为多晶硅多晶硅型时钟频率100 kHz 要求实现1M2的电阻求其面积可知电容为10pF。假设单位面积的电容为 0.2 pF/ml,则面积为50mil。如果用多晶硅取最大可能值1000并取其最小宽度那么需要900mil当然在开关电容电阻中除了电容面积外还需要两个面积极小的MOS管做开关可以看出电容电阻比多晶硅电阻的面积少了很多而在集成电路设计中这是十分重要的有效的RC时间常数就与电容之比成正比从而可以用电容和开关电容电阻准确的实现电路中要求的时间常数 而使用有源器件的电阻可以使电阻尺寸最小多晶硅电阻则是最简单的在设计中要灵活运用这三种不同的方式。