简介:为了研究高开关速度下寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiCMOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。
简介:对感应电机堵转电流,转矩和功率因数的测量成为一种标准试验已有许多年了,转矩的测量从使用制动器,测矩器,转矩臂和刻度尺,经应变计和测力传感器演变到了加速试验,这个试验必须具有短的持续时间以防止损坏电机,大电机出现问题是因为不论在千伏安测量还是在转矩测量中,都受到设备的限制,当按额定电压与试验电压之比的平方分配工作电压时,降压进行的单个试验忽略了饱和的影响并导致了预测转矩和电流值的显著降低。本文了讨论了一些与试验方法有关的问题并阐述了怎样进行这些试验的方法及解释饱和效应的估计结果,最后,文章还叙述了怎样从试验数据中得到一些电机电路参数的方法。