<正>美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司在开发SiC功率电子新产品方面迈出了一大步,实验演示了一种1cm~2SiC二极管芯片。他们所制作的这种4H—SiC肖特基二极管的阻塞电压为300V,正向电流高至300A。该二极管芯片是用4H—SiC制
半导体信息
2004年2期
