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简介：<正>一般来说,需使用有源器件的75-100GHzW波段的毫米波被认为是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体技术的天地。但随着fT/fmax频率超过150GHz,更新的SiGe工艺可竞

简介：<正>闪存供货商Spansion公司宣布,通过与中芯国际合作,他们加强了其对中国市场的关注。Spansion将转让其65nmMirroBit技术给中芯国际,作为在华的300mm

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简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：<正>MimixBroadband公司推出了一种GaAsMMIC分谐波接收机。该接收机有一个三级平衡低噪声放大器(LNA)、一个镜相抑制分谐波逆平衡二极管混频器和集成本振(LO)缓冲放大器。使用这个镜相抑制混频器就无需在低噪声放大器之后再用一个带通滤波器来消除镜相频率下的热噪声。

简介：<正>美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司在开发SiC功率电子新产品方面迈出了一大步,实验演示了一种1cm~2SiC二极管芯片。他们所制作的这种4H—SiC肖特基二极管的阻塞电压为300V,正向电流高至300A。该二极管芯片是用4H—SiC制

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们