功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。