简介：引言原油储罐投入使用一段时间后,原油中的氮化物、胶质和沥青等混合物沉淀在罐底,这些沉淀性残渣质地较硬称作淤渣,淤渣越积越厚,不仅占用油罐的容量,而且无法对油罐进行检查维修.因此,在检查维修油罐之前,必须将其内部的淤渣清洗干净.

简介：

简介：文章着重介绍高压水喷砂在汽车工业中的应用,结合工业企业的实际需求,运用现代自动控制技术,将繁琐、复杂的车体表面处理过程变得简单可行,生产效率大大提高,实现金属表面批量处理的流水线生产.

简介：数字阵列雷达是一种灵活的阵列雷达，可以通过数字技术完成所需的若干功能，尤其是抗噪声干扰等。文章研究了数字阵列雷达在波形选择、接收超低副瓣形成及自适应零点形成技术等方面的实现，以及仿真和性能测试结果。

简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：针对密码芯片在抵抗功耗攻击时存在着效率与安全两个方面的矛盾,文中通过利用奇系数梳状算法对标量进行编码,同时结合预计算方法把椭圆曲线密码标量乘法运算转化为一组小标量乘法运算,并利用基点掩码技术实施抗功耗攻击。性能分析结果表明：与传统的抗功耗攻击方案相比,给出的抗功耗攻击方案不仅可以抵抗多种功耗攻击,并且能够在存储空间和主循环运算量基本保持不变的情况下具有更高效的运算效率,在各种资源受限的应用系统中具有较好的实际应用价值。

简介：随着移动通信服务的不断普及和市场竞争的日益深化，全球范围内的移动通信运营商普遍面临着ARPU值持续下降的局面。为了在市场竞争中保持竞争力，移动运营商纷纷把改善ARPU值的希望寄托于移动数据业务。但是，不管是2G时代的GPRS系统还是3G初期的WCDMA系统，其数据带宽都不足以满足用户对多媒体数据业务的要求。可以说，空中接口带宽的不足成了限制多媒体移动数据业务发展的瓶颈。而这也正是大量移动运营商对以WCDMA为代表的早期3G系统兴趣不足的原因。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用，在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能，满足空间应用的各种需要，文章介绍了空间辐射环境，空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理，主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时，概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术，大大提高了空间应用的超辐射发光二极管（SLD）、超荧光光纤（SFS）光源、1310nm波长的InGaAsP／InP半导体激光器、电荷耦合器件（CCD）、互补性金属氧化物半导体（CMOS）器件的抗辐射性能和可靠性。

简介：对仪器控制板的连接及分离，对线缆的接插及拔断，汽车用电子模块及建筑用机械设备所经历的持续振动。所有上述情况都会造成对电子器件的严重损害，导致使用性能的显著下降，或是操作功能的完全丧失。为了克服引脚弯曲，元器件受震动损伤，以及在极端恶劣环境下的材料性能退化，通常需要额外的稳定性来提高可靠性。然而，能提供此额外稳定性的材料通常面临苛刻的要求，

简介：

简介：文章实现了一种应用于串行通信中的抗噪声接收电路的设计。UART被广泛应用于在远端设备之间进行串行通信，传统接收电路在位周期的中央对信号进行采样，但是由于各种随机噪声的干扰，会引起数据采样错误，造成通信出错。文章提出的设计方法是利用一个累加器在一个特定窗口周期内对串行数据进行采样并累加，再根据累加和判断出窗口期内正确数据位，从而滤去串行线路上的噪声得到纯净的串行数据，这大大增强了串行通信的可靠性。文章利用Quartus软件对设计进行编译、综合、仿真。仿真结果表明该电路能有效滤去串行线路上噪声，极大增强了接收电路的抗噪声性能。

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

简介：分析了以往保偏光纤耦合器封装工艺存在的一些技术缺陷,以及在试验过程中这些缺陷对保偏光纤耦合器造成的不良影响.针对存在的问题,提出了一种新的高稳定性的材料——低温玻璃封装用于耦合器的封装,经过一系列实验（工作温度,高温寿命,交变湿热,温度冲击）,并对实验结果分析,新的封装基本达到预期目标.

简介：摘要现当今，随着我国科技不断进步，我国的电力行业也得到了很大程度的发展。在电力系统的运行过程中，继电保护装置非常的重要，一方面保证了电力系统的安全运行，另一方面保证了电力系统输出电力的稳定性。虽然继电保护随着科技的发展，也有着非常快的发展速度，并且也保证了电力系统的运行安全，但是在实际的运行过程中，仍然会有不稳定的情况出现，因此就需要分析其不稳定的原因，并研究相应的解决办法，以此来让继电保护更好的保障电力系统的安全运行。

简介：摘要：电网末端电压稳定性对于电力系统的稳定运行至关重要。本文以电力系统为研究对象，研究电网末端电压稳定性的特性及其优化方法。研究首先对电网末端电压稳定性理论进行了深入研究，发现电力系统运行状态、负载变化以及网络参数对末端电压稳定性有显著影响。为了优化电网末端电压稳定性，我们设计了一种基于混合整数线性规划的优化策略，并与传统策略进行对比，结果表明该优化策略能有效降低电压波动，提高电力系统的运行稳定性。此外，我们还探讨了未来发展和挑战，如分布式发电、电能质量及其对电力系统电压稳定性的影响。本研究将有助于理解电网末端电压稳定性的影响因素，并提供了一种有效的优化方法，用以保证电力系统的稳定运行。

简介：在阐述主动锁模掺铒光纤环激光器的锁模原理与锁模脉冲生成机制的基础上,进一步论述了阻碍主动锁模掺铒光纤环激光器实用化的两种稳定性问题,并提出了一些相应的解决方案.

简介：