简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：介绍了H．264标准中采用的数据分割、参数集、灵活的宏块排列次序和冗余片等四种抗误码技术，分析了这四种技术的基本特点，同时对这四种技术的应用方法进行了研究。

简介：为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时，具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持，而这些数据常常涉及知识产权，因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。

简介：电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。

简介：COF技术由于具备诸多优势，已经成为LCD驱动IC的主要封装技术。对三种无胶基材进行实验，通过测量孔径和误差之间的关系，得出1．5mm孔为引入误差最小的孔；测量真空层压后基材的尺寸稳定性，三种基材能够符合COF技术要求。

简介：对高速A/D转换器（ADC）的结构及其时钟稳定电路的设计概念，研究对象进行了介绍，并对用于高速A/D转换器的时钟稳定电路进行了调研，从而提出了一种新的设计方法。

简介：通过对船舶腐蚀的基本原理的分析以及传统防腐蚀方法的阐述,在此基础上提出了船舶腐蚀防护方法中外加电流建立反馈系统,对船舶腐蚀防护进行更好的监测和处理。对于外加电流船舶腐蚀防护法实施技术性监控,建立反馈系统。提高外加电流系统的可靠性。为当今船舶腐蚀防护方法提出一个明确的发展方向。

简介：单片逆变集成电路已经广泛应用到空调的风机驱动上，它易于受到噪声的干扰。我们为交流220V单片逆变集成电路开发了窄带滤波器来抵抗噪声，它有可以缩短延迟时间的充电和放电加速器，也有滞后电路可以抑制任何阶段产生的噪声。它被置于上/下驱动电路的前级来抑制源于任何输入端子的噪声。本文最后用实验验证了窄带噪声滤波器非常出色的效果。

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。