简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：Acompactammoniagassensorwithtwogaschambersisproposedinthispaper,whosecoresensingdeviceisaU-bendingmicroringresonator.Thewaveguidesofringpartandfeedbackpartinthisresonatoraremadeofsilicononinsulator(SOI)ridgewaveguidecoveredwithZnOnanocrystalswhicharesensitivetoammoniagas.Thesensorcanmeasuretwogroupsofgassamplessimultaneously.Bycomputersimulation,weobtaintheclearsensitivitycurvesoftwogaschambersinammoniasensorwhenthegasconcentrationincreasesfrom0to4‰.Thegasconcentrationsintwochamberscanbeobtainedfromoneoutputspectrum,whichsignificantlyreducesthematerialandtimeconsumption.

简介：AnovelopticalfibersensorwithaU-shapedmicro-groovestructureablatedbyfemtosecondlaseronsingle-modefi-berformeasuringairrelativehumidity（RH）isreportedinthispaper.Inordertoimprovetheaccuracyofsensor,agrapheneoxide（GO）/polyvinylalcohol（PVA）compositefilmiscoatedonthesurfaceofmicro-groovestructure.IntheU-shapedmicro-groovestructure,theremainingcoreandmicro-cavityinthemicro-groovemakeuptwomajorop-ticalpropagationpaths,formingaMach-Zehnderinterferometer（MZI）.ThesensorhasagoodlinearresponsewithintheRHrangeof30%--85%,andthemaximumsensitivitycanreach0.6381mrd%RH.Theeffectoftemperatureontheoverallperformanceofthehumiditysensorisalsoinvestigated.Asanewtypeofall-fiberdevice,thesensorshowsexcellentsensitivityandstability.

简介：有二个串联microring共鸣器和二U弯曲波导的一个XOR/XNOR光逻辑电路被建议。microring共鸣器用电镀物品光的聚合物做的并且通过线性电镀物品光的效果调制。二个电的信号被用于二microrings，并且同时的XOR和XNOR操作在二个不同操作模式被表明。我们也使用散布矩阵方法分析模拟输出系列，并且发现象00和11一样的不同输入能在某些波长在输出系列导致不同扑灭比率，尽管他们的数字产量是一样。

简介：11月11日．苹果电脑公司宣布正式推出U2iPod。此举被视为苹果公司与U2乐队及环球唱片(UMG)为数码音乐新时代携手共创革新产品的一部分。这款全新的U2iPod能够容纳5000首歌曲。它拥有黑色外壳及红色的点击式转盘，背面还刻有U2乐队全体成员签名。

简介：本文主要介绍了埋砂法恒定加速度试验时元器件的受力分析.

简介：在购买MP3时你是否总是在照顾耳朵还是可怜钱包上犹豫不绝，你是否因为MP3的日久失色而开始喜新厌旧，你是否对MP3有一个心中完美的理想，相信很多人都信奉物美价廉的黄金准则，在选择MP3产品时如果外观能够吸引眼球，性能能够吸引大脑，价钱能够吸引钱包，恐怕很快就要将其据这己有了。现在我为你引存的这位MP3“佳丽”可要请你注意了，她在以上三个过程中都占具着一定的优势，她就是日前纽曼公司继纽曼家族A系列正式推出的U2系列MP3播放器。

简介：文章对清管器的结构、性能、应用特点进行了全面分析,并对它在输水管、输油管及工业管线清洗中的应用情况做了具体介绍

简介：

简介：首先,分析了智能技术快速发展对战争面貌的深刻影响、智能化无人作战系统对传统作战样式的变革以及复杂多元涉空作战行动对空战场的重构作用;其次,从空域态势感知、战场空域规划、决策控制和安全风险等方面研究了智能化战争形态下战场空域管控面临的严峻挑战;最后,从战场空域管控模式重构、智能化战场空域规划、实时自主协同与智能决策以及“制智权”夺取等方面阐述了智能化战争战场空域管控工作,为我军开展智能化战争形态下战场空域管控指明了发展方向。

简介：

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：快速更换焊接模块。

简介：太赫兹回旋管一种具有重要发展前景的高功率太赫兹源。简要介绍了回旋管的结构和基本原理，并且评述了国内外太赫兹回旋管的发展状况和趋势；同时指出了太赫兹回旋管发展中存在的关键问题及一些建议。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

简介：

简介：摘要煤是中国的主要能源。国有煤矿是中国煤炭生产的主体。由于国家宏观政策和煤炭企业的特殊性，煤炭企业的生产成本不断提高。加强成本管理、降低成本是企业提高经济效益、增强市场竞争力的重要手段。目前，煤矿企业主要控制生产成本控制，而忽视了煤矿劳动力成本的控制。通过人力资源管理降低劳动力成本是国有煤矿降低企业成本、提高经济效益的重要途径。