简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是液晶显示器中最重要的一种，其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位，可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅TFF（a-SiTFT）、多晶硅（p-SiTFT）和单晶硅MOSFET（c-SiMOSFET），后者形成的LCD被用于LCOS（LiquidCrystalonSilcon）技术。

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：摘要：从上个世纪80年代起，薄膜晶体管(TFT) 的制备工艺、特性表征和模型建构等研究基本都是基于单栅器件进行的，所以单栅的TFT器件的工艺制备、器件结构解析模型等都研究的相对比较成熟。然而，近几年，一种具有发展潜力的双栅结构TFT引起了世界普遍的关注。双栅结构的TFT具有更强的电流驱动能力，更低的漏电流和较好的亚阈值特性，可以抑制短沟道效应等优点，逐渐成为颇具有发展前景的新型器件结构。本论文在氧化锌 (ZnO) 的性质和薄膜的制备方面做一些讨论，并对常规TFT的结构进行分析，探讨了双栅结构的ZnO薄膜晶体管的工作模式。 关键词：氧化锌，双栅结构，工作模式

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：摘 要：偏光片是薄膜晶体管液晶显示器中重要的关键零组件。本文介绍了偏光片的工作原理和原材料特性,并对薄膜晶体管液晶显示器用偏光片的关键技术进行分析与探讨。期许能给相关人士带来参考。

简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

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简介：1947年12月23日，37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。晶体管的发明成为人类微电子革命的先声。

简介：场效应晶体管具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点，在前置电压放大，阻抗变换电路，振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响，手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应管的身影。而在实际维修中由于场效应管损坏引起的故障并不少见，因此掌握场效应管的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

简介：晶体管的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型管所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体管的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

简介：把闹钟的后盖打开,在电池正极端焊一根电线,在闹钟振铃开关正极上同样也焊一条线,将这两条线的另一端焊在准备好的一个小型插座上,然后把插座固定在闹钟侧面;另外再准备两根长电线,一端接在插头上,另一端接到门枢的按钮开关上。最后把

简介：通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.

简介：本文从长期工作实践中摸索总结出晶体管电路中带有一定普遍现象的两类软故障:即接触不良和元器件(晶体等、电阻、电容)造成软故障的判断、检查与处理方法.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。

简介：摘要对于半导体器件来说，其一般都是属于微型结构、微功耗的电子器件，当遭受外界电应力的作用下，会对其可靠度带来极大的影响，甚至会造成失效现象。因此，本文主要结合BJT以及电磁脉冲的基本理论，对双极晶体管电磁脉冲损伤机理分析进行了深入的分析，并提出了相应的防护措施。

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