简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。
简介：LTE在全球各地的快速布建已是大势所趋。在去年一年当中，全球LTE商用网路的数量呈4倍的成长，业者引进LTE的速度较许多人一年前的预期来得快很多。而根据IllSiSuppli的最新研究指出，全球LTE用户数将在今年超过WiMAX；到了2014年，预估LTE用户将达到3．031~Z，相比3340万的WiMAX，数量将超过9倍之多。
简介：如果您的下一个设计的电路板功耗可以降低25％N30％，甚至更多，是不是很理想？对一些设计而言，这一改善是不错的，但对其他的设计而言，如要使用最新的高性能集成电路而使设计具有竞争力，这就是必需的。为什么呢？因为新的ASIC、SoC和处理器技术都可以用一句话来概括——它们需要散热!
Vishay SiliconiX扩展ThunderFET的电压范围
全球LTE手机市场值年成长372％
使用闭环电压调节控制降低功耗
