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相移掩模清洗phase掉落幅度控制的研究

简介：摘要本文提出了一种相移掩模（PSM）在国产清洗机PMC1500上清洗时phase掉落幅度控制的方法。在相移掩模制备过程中，影响phase值大小的因素较多，干法蚀刻的时间，清洗工艺等对相移掩模的phase值都有很大的影响。177°—183°的phase大小，是PSM版在晶圆工厂使用的常规要求，研究中提出了对相移掩模清洗phase值掉落的控制，在保证清洗能力的情况下，通过对清洗过程中影响phase值掉落的重要因素进行改良，清洗流程包中包含SPM清洗以及SC1清洗的工艺，通过逐一改变SPM以及SC1的清洗条件，实现对PSM掩模phase值掉落的控制研究，最终确定了SC1清洗工艺时间对PSM掩模phase掉落的影响较大，通过控制SC1的清洗工艺方式，有效地控制PSM掩模清洗时phase值的掉落。
标签：相移掩模 PMC1500 phase SPM SC1

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光掩模缺陷及修补方法探讨研究

简介：摘要当集成电路工艺发展到65纳米技术节点时，随着图形特征尺寸越来越小，图形越来越密集，势必造成缺陷很难修补。本文介绍了掩模在制作过程中缺陷形成的原因，对掩模缺陷进行分类，阐述了光掩模缺陷修补的重要性和掩模修补原理及方法。比较详细的介绍了激光气化法、局部曝光法、离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。
标签：光掩模缺陷修补离子束修补

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掩模制造过程缺陷来源研究尤春

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