简介：本文采用简单方法,从现象到本质,从特殊到一般,对多普勒效应进行了系统分析,逐步推导出多普勒效应定量公式;为了易于理解,通过举例说明其应用。
简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.
多普勒效应定量公式的推导及其应用
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
