简介:压疮是由于身体局部组织长时间受压,血液循环障碍,以致局部持续缺血、缺氧、营养不良而致的软组织溃烂和坏死[1].压疮是神经内科、肿瘤科和骨科常见的并发症,多见于心脑血管疾病、晚期肿瘤、脊柱损伤以及其他慢性疾病病人.据统计,在美国39%的脊髓损伤病人伴有不同程度的压疮[2].随着医疗技术的进步,这些病人的生存时间显著延长,但病人需更长时间卧床的事实也显得尤为突出,因此压疮的护理与治疗就更为重要.临床上治疗压疮的方法众多,而局部给氧治疗则是常用的联合治疗手段之一.但临床实际应用中氧浓度、操作方法各异.为了探讨压疮局部氧疗的效果与最佳氧流量,达到提高疗效、缩短治疗时间、降低医疗成本的目的,我科对不同氧浓度局部氧疗的效果进行了比较研究.
简介:为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.