简介：用于半导体的聚酰亚胺粘合膜的粘合强度在有银为填充剂情况下会急剧改变。为了弄清这种变化的机理，粘合膜的表面结构可通过温控原子力显微镜（AFM）和表面增强拉曼光谱（SERS）来研究。含银填充剂的粘合膜的原子力显微图片显示，膜的表面形态和粘弹性在170℃以上将会显著改变，可能是由于银填料所致。而另一方面，不含银填料的粘合膜未显示任何改变。表面增强拉曼光谱显示膜中的聚酰亚胺发生水解同时，

简介：隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点，在磁随机存取存储器（MRAM）、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎，有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理，阐述了最近几年国内外最新研究进展，最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。

简介：非晶态金属由于缺乏长程排序和相关晶界，具有许多非凡的特性，如超高强度、改进的抗蚀性能以及引人注目的磁性能。金属玻璃，即非晶态金属，其实是凝固的液体，具有非晶态的原子结构，在凝固过程中跨越了结晶这一过程。这些独特有趣的金属可以看作是另类崭新的材料。具有非晶态原子结构和成分的这类合金强度高，且处理恰当的话，可以像塑料一样进行加工。良好的性能和易加工性，为高强合金的加工和利用展示了一个新的空间。本文概述了液态金属合金的非晶金属技术，探讨了它的开发潜力。

简介：咖啡渍。有什么事比一杯热咖啡留下的棕色环形更常见呢？然而，当我们从科学的角度来看这件事时，可以解释为当液滴沉积并开始从表面蒸发时，其边缘发生的沉积、扩散和蒸发更多。事实上，科学家在建立模型和理解这个看似简单而日常的现象方面已经做了十几年的努力，因为胶状液滴如何蒸发的物理模型对于绘画、印刷、DNA测序乃至纳米尺度制造都非常重要。

简介：4月9日，《自然》杂志发表了中科院大连化物所纳米催化研究的最新成果。该文章揭示了纳米催化中的形貌效应，通过对金属氧化物纳米粒子尺寸和形貌的调控，首次实现了金属氧化物催化一氧化碳低温氧化的高活性和高稳定性。申文杰研究员团队与中国科学院金属所刘志权研究员、日本首都大学（东京）春田正毅教授合作，利用形貌控制概念使得制备的Co304纳米棒表面暴露41％的活性（110）晶面。

简介：研究的目的是讨论采用非均相碱脱乙酰法制备壳聚糖时，反应时间及反应温度对壳聚糖脱乙酰度（DD）及分子质量（MW）的影响，并建立合适的反应条件，制备具有适当脱乙酰度及分子量的壳聚糖产品。甲壳素是从红虾的残渣中提取的。DD和MW分别由红外光谱及静态光散射仪测定。甲壳素的DD值及MW的测量结果分别为31．9％、5637kDa。实验结果表明壳聚糖的DD值随反应时间、反应温度的增加而增加。反应温度为140℃时制备的壳聚糖的DD值比反应温度为99℃时制备的壳聚糖DD值高。反应温度为99、140℃制备的壳聚糖的加最大值分别92．2％、95．1％。壳聚糖的DD值在反应初期增长较快，随着时间的延长，增长变慢。脱乙酰反应的反应速率及速率常数随反应物DD值的增加而减少。壳聚糖的分子量随脱乙酰反应时间的延长而减小。反应温度为140℃时制备的壳聚糖的分子量比反应温度为99℃时制备的壳聚糖的分子量小。反应初期壳聚糖的分解速率为43．6％／h，随着时间的延长其值减小到20％／h，在反应后期，分解反应速率常数增加。

简介：在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：概述了现有非晶合金的种类，并从合金的热力学、动力学和结构3个方面阐述了合金的非晶形成机理，同时全面总结和探讨了表征合金非晶形成能力的各种参数，主要包括Inoue经验规律、△H（熔化焓）、△S（熔化熵）、过冷液体温度区间△Tx（△Tx=Tx-Tg）、约化玻璃转变温度Trg（Trg=Tg／Tm）、粘度（η）、αβ1/3、临界冷却速度（Rc）、非晶晶化开始温度（Tx）与合金开始熔化温度（Tm）之比（Tx／Tm）、合金开始熔化温度（Tm）与玻璃转变温度（Tg）或非晶晶化开始温度（Tx）之差△Tm（△Tm=Tm-Tg或△Tm=Tm—Tx）、电子浓度e／a、原子尺寸、重力等。

简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室单分子物理化学研究团队的科研人员最近发现，当无线电通信天线尖端尺寸减少到纳米量级，并非常接近另一金属表面而形成一个纳米腔室时，就可以利用局域等离激元共振模式的调控来对腔内荧光体的发光特性进行有效控制，并在光频区实现新奇的电光效应：电致热荧光、上转换发光和“彩色”频谱调控。这一研究成果发表在近期出版的国际权威杂志《自然-光子学》上。

简介：把沸腾的铁水以每秒钟100万摄氏度的速度快速冷却，会发生什么奇迹?在北京市重大科技项目“非晶、纳米晶制品研究及产业化”验收会上这种神奇的东西：一片薄得像玻璃纸一样的“铁片”和一根不到头发丝直径十分之一的“铁丝”通过了验收，它们就是熔融铁水以每秒钟100万摄氏度的速度快速冷却后的结果，专家称其为“非晶、纳米晶材料”。

简介：用滤质阴极真空电弧(FCVA)离子镀技术在高速钢(W6M05Cr4V2)和不锈钢(0Cr18Ni9Ti)基体上沉积120～150nm非晶金刚石膜。用划痕法测定其结合力,平均临界载荷分别为19.15N(高速钢)和6.44N(不锈钢,CB工艺)。用栓盘摩擦试验测定镀膜的摩擦系数μ和耐磨寿命。摩擦系数μ为0.092～0.105,镀膜耐磨性比高速钢高106～319倍,比不锈钢高480～3600倍,而且镀膜质量稳定,重复性好。

简介：采用γ射线还原法可以在非水体系中同步合成出复相的纳米无机粉体，对此种方法做了详细介绍．并且对于获得的复相无机纳米晶粉体进行了XRD的表征分析，证实了在还原体系中采用此法得到的粉体粒径尺度在纳米量级。

简介：近日，西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心研究生余倩。在导师孙军教授、肖林教授和该研究中心教授马恩、单智伟的悉心指导下，与美国宾夕法尼亚大学教授李巨、丹麦瑞瑟国家实验室黄晓旭博士合作，对微小尺度金属单晶材料中的孪晶变形行为及其对材料力学性能的影响进行了深入研究，发现了单晶体外观尺寸对其孪晶变形行为的强烈影响。

简介：介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型，分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论，反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加，阈值电压的波动达到约10％。

简介：以柠檬酸三钠为络合剂，采用络合反应快速冷冻共沉淀法制备出铜掺杂氢氧化镍超细粉体样品材料，采用XRD、SEM、TEM、TG—DSC、Raman和红外对其进行表征，同时将其作为正极活性材料组装成MH—Ni电池，测试了其电化学性能。充放电结果表明，样品电极具有较好的循环特性．当Cu的掺杂量为5％时，合活性物质80％的样品电极在恒流80mA／g下充电6h，40mA／g放电，终止电压为1．0V时．放电电压稳定于1．260V的时间较长，开路电位为1．462V，放电比容量可达362．976mAh／g，表现出其较高的电化学活性。

简介：据有关媒体报道，总投资2．7亿美元的联相（山东）非晶硅薄膜太阳能电池项目日前在济宁开工建设。该项目正式投产后，年产非晶硅薄膜电池可达70兆瓦。

简介：以廉价的工业级高模数比硅酸钠（Na2O·3．3SiO2）为硅源，以溴化十六烷基三甲基铵（CTAB）为模板剂，通过添加有机胺进行二次水热后处理，制备了掺杂V的介孔硅基分子筛。采用了XRD、SEM和低温液氮吸附脱附分析进行表征。实验结果表明，在不同的有机胺溶液和后处理温度下，样品的扩孔效果差异显著，其中，以三乙胺（TEA）和N-N二甲基十二烷基胺（DMDA）在高温水热处理下的扩孔效果最优。TEA的加入能调变V-MCM-41分子筛的孔径从3．94nm扩孔到9．30nm，增加2．36倍，而DMDA的加入能将孔径从3．94nm扩孔到6．62nm，增加68％。

简介：通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC非晶壳层。这种非晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点（1-3nm）,此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。