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  • 简介:srzn2(PO4)2:在大气中的高温固相反应合成Sm3+荧光粉。srzn2(PO4)2:Sm3+荧光粉是通过紫外光有效激发(UV)和蓝色光,和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡(563nm),2-6h74G5//2(597nm和605nm)和2-6h94G5//2(644nm和653nm)。对srzn2发射强度(PO4)2:Sm3+的Sm3+浓度的影响,其浓度猝灭效应srzn2(PO4)2:钐也观察到。当掺杂离子(=Li,Na和K)离子的发光强度,srzn2(PO4)2:Sm3+可以明显增强。在国际照明委员会(CIE)的srzn2色坐标(PO4)2:Sm3+定位在橙红色的区域。结果表明,该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管(LED)。

  • 标签: 掺杂离子 发光性能 NA 国际照明委员会 白光发光二极管 SM
  • 简介:本文用光荧光(PL)方法研究了离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

  • 标签: 离子注入 InGaAsP/InP双量子阱 量子阱混合
  • 简介:本文介绍了生产和使用低和无洗涤剂的重要性.低和无洗涤剂的生产有两条途径,途径一从助剂入手,选取合适的助剂替代三聚磷酸钠;途径二从活性物入手,选取去污力好,对钙、镁离子的螯合力优良的表面活性剂,替代部分或全部十二烷基苯磺酸钠,从而实现低或无.目前的现状是采取三聚磷酸钠的替代物作为助剂,生产低和无洗涤剂;从发展的角度看应从活性物入手,开发生产性能更优异的表面活性剂.

  • 标签: 洗涤剂 三聚磷酸钠 助剂 表面活性剂 成本
  • 简介:文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

  • 标签: 厚多晶硅薄膜 饱和掺杂 低阻 多晶硅电阻
  • 简介:<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

  • 标签: 半导体纳米晶 纳米发光材料 激光器件 玻尔半径 量子限域效应 量子点
  • 简介:一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比(多量子阱)。我们发现,GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时,5×1017cm-3,2×1018cm-3,4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度(量子阱)。然而,当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3,晶体质量下降,从而导致外量子效率的降低(EQE),短路电流和开路电压。作为一个结果,一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

  • 标签: INGAN 太阳能电池 掺杂浓度 多量子阱 特性 外量子效率
  • 简介:摘要镧系磷酸盐及其掺杂体系在实际生产、生活中有着广泛的应用,研究和改进其性能以及结构以及其宏观性能内在联系,具有重要的意义。同时,随着新的学科分支--计算材料科学不断发展,国内外研究者利用各种计算手段对镧系磷酸盐及其掺杂体系进行探索和研究,并取得了一定的进展和成果。

  • 标签: 材料计算 磷酸镧 掺杂 第一性原理
  • 简介:<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

  • 标签: 氮化镓 Kyma 半导体材料 垂直结构 氮化铝 半导体器件
  • 简介:Al掺杂ZnO(AZO)已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池(ioscs)。在本文中,偶氮结构,光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时,我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示,功率转换效率提高了35.6%,相对于1摩尔/升的设备,由于改善的表面形貌和透过率(300-400纳米)的偶氮缓冲层。

  • 标签: 前驱体溶液 溶液浓度 性能 氧化锌 铝掺杂 有机太阳能电池
  • 简介:DVS最新推出的Pronto2K2和ProntoHD.2硬盘录像机.使Pronto2K和ProntoHD模块产品系列得到进一步完善。这两款新产品应用了DVS新开发的专用视频板卡,采用软件处理相应的传输延迟和误差.具备全自动传输一致的独特性能。

  • 标签: 硬盘录像机 HD 产品系列 视频板卡 产品应用 自动传输
  • 简介:Dy3+/Eu3+共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾(KF)作为助熔剂生长。射线衍射(X射线衍射),吸收光谱,激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3+和Eu3+离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3+,Dy3+具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321,y=0.332。这表明Dy3+/Eu3+共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外(UV)光激发的白光发光二极管(LED)。

  • 标签: 助熔剂生长 立方格子 共掺杂 单晶 光学性质 白光发光二极管
  • 简介:2003年,中国IT服务市场规模呈大幅上升趋势,IT服务正成为IT产业中一个强势增长的市场。特别是随着我国企业信息化的逐步深入,信息化应用和解决方案将会掀起新一轮发展热潮,并将与电子政务一同为IT服务商提供巨大商机。

  • 标签: 中国 IT服务 IT产业 行业信息化 市场规模 市场规模
  • 简介:一、简介苯并嗯嗪是由酚、伯胺和甲醛为原料合成的一种苯并六元杂环化合物。与环氧树脂、双马来酰亚胺、酚醛树脂和氰酸酯等传统的高性能基体树脂所存在的这样或那样的不足相比较,苯并恶嗪树脂较好的将优良的成型加工性、综合性能和性价比集于一身。该树脂的原料来源广泛,价格低廉,合成工艺简便;其固化反应为开环聚合,无小分子释放,固化收缩小(近似零收缩),易于成型加工,制品孔隙率低、尺寸精度高;固化产物具有较高的Tg和热稳定性,较高的成炭率,优良的阻燃性和机械性能,以及低的吸水率。

  • 标签: 阻燃性 印制线路板 苯并恶嗪树脂 六元杂环化合物 基板 无磷
  • 简介:Linearcomplexityandk-errorlinearcomplexityofthestreamcipheraretwoimportantstandardstoscaletherandomicityofkeystreams.Forthe2n-periodicperiodicbinarysequencewithlinearcomplexity2n1andk=2,3,thenumberofsequenceswithgivenk-errorlinearcomplexityandtheexpectedk-errorlinearcomplexityareprovided.Moreover,theproportionofthesequenceswhosek-errorlinearcomplexityisbiggerthantheexpectedvalueisanalyzed.

  • 标签: 2-误差线性复杂性 周期二进制序列 k-误差线性复杂性 线性反馈移位寄存器 流密码
  • 简介:在这项工作中,和两个新的荧光粉发光特性的合成:Pr3+CaYAlO4(CYA)和镨铽:CyA的发光二极管(LED)的影响。0.5%(原子百分比)Pr3+:环孢素A具有最大的亮黄色发射不同Pr3+浓度,根据3P0+3H4→1G4+1G4的交叉弛豫过程。Pr3+的能级图:环孢素A,特别是D级和4F51S0能级位置,讨论了。通过掺杂Tb3+离子,镨铽荧光粉的色坐标:CyA可调谐从黄色到白色区域。最后,用最强的发光色坐标(0.339,0.364)位于白色区可在0.3%Tb3+/0.5%Pr3+:CyA

  • 标签: 白光发射 肺结核 公关 发光特性 环孢素A
  • 简介:这份报纸描述一个新方法与高反射率,宽思考带宽和高laserinduced损坏阀值设计一面激光镜子。镜子被HfO2/TiO2/SiO2的三材料高基于电场和所有电介质激光的温度地分发特征构造反射镜。TiO2/SiO2栈充当高反射镜(HR)并且拓宽思考带宽,当HfO2/SiO2栈被用于增加激光抵抗时。有34层的HfO2/TiO2/SiO2激光镜子被一篇小说制作遥远的血浆劈啪作响免职。为新镜子的零损坏可能性的损坏阀值直到39.6J/cm2(1064nm,12ns)。镜子的可能的激光损坏机制被讨论。

  • 标签: 激光损伤阈值 激光反射镜 设计 HFO2/SIO2 制造 等离子体溅射
  • 简介:评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

  • 标签: 中子嬗变掺杂硅 无条纹硅 电力半导体器件 高电压 大电流