简介:摘 要:本文拟从反应气体流量、射频电源的功率、产品表面温度和产品与喷头之间的距离四个方面单因素探索每个工艺条件对产品钝化膜层质量所产生的影响,从中得出每个因素单方面最适宜生产产品的工艺参数。然后再通过正交实验,设计 4因素 5水平试样,将各个工艺参数的影响综合进行比较,从中得出最适合生产的工艺参数。在 650V高压 VDMOS功率器件的表面制备 4KÅ氮化硅钝化膜的最佳工艺参数组合为:反应气体流量比例为 38:14,射频功率为 350W,硅片表面的温度为 390℃,硅片与喷头的距离为 340mils。经过试验得出结论,供 VDMOS半导体技术工作者参考。
简介:[摘要]:目的:研究高效高能量密度氮化镓车载充电机系统化集成与样机测试。方法:以高效高能量密度氮化镓车载充电机为研究对象,实施系统化集成测试、样机测试。结果:充电机的前后级均以大电流氮化镓功率管作为主控管,采用全数字控制方式,保证该车载充电机整机效率比相同容量硅器件充电机的效率提高3个百分点,功率密度提高30%以上。结论:与采用Si功率器件的传统车载充电机存在的体积大、效率低等问题。相比,氮化镓功率器件具有更高的开关频率、更小的导通损耗,在高效高功率密度车载充电机应用领域具有突出优势。
简介:摘要本文用椭偏仪测量砷化镓表面氧化层的厚度,并用XPS分析砷化镓表面氧化层的化学组成和氧化层的厚度,发现,清洗后的砷化镓晶片表面会发生自然氧化反应,自然氧化层主要有Ga203、As203、As2O以及少量As元素组成,且随着时间变长,氧化层的厚度越来越厚。
简介:摘要:近年来,氧化物半导体的发展越来越快速,而氧化镓(Ga2O3)作为一种新兴的氧化物半导体材料引起了人们的广泛注意。Ga2O3是第三代半导体材料之一,属于宽禁带半导体材料,具有高达4.5~5eV的直接带隙,还具有较高的吸收系数、较高的击穿场强~8MV.cm-1和稳定性好、易于制备等优点,适用于日盲紫外光电探测器、超高压电力电子器件以及极端环境电子开关。Ga2O3结晶成各种不同的结构,其中,最稳定的β-Ga2O3和α-Ga2O3,其最大带隙能值为5.3 eV。截止目前,Ga2O3的研究涵盖了各种形式,根据其形态的不同,可以分为块状,薄膜和纳米结构。本文主要围绕Ga2O3材料的基本特性、制备以及应用展开了讨论分析。 关键词:氧化镓制备,光电特性
简介:摘要:镓的分析检测方法有多种,如传统的罗丹明B萃取光度法和电感耦合等离子光谱法等。罗丹明B萃取光度法,方法成熟,但用时长,操作繁琐,且萃取过程中用到的有机溶剂,长期接触对人体健康不利,且对环境有污染等缺点。电感耦合等离子光谱法检测设备成本较高,在使用过程中由于铝酸钠溶液中钠、铝含量高,酸化后,盐效应明显,影响分析结果,以上两种方法不适合铝酸钠溶液镓回收过程中的控制分析。本实验通过滴定法测定铝酸钠中镓含量的方法、原理以及注意事项,该方法过程简便快捷,适合铝酸钠溶液镓含量的快速测定。
简介:摘 要:文中分析金属镓产品杂质铜含量高,通过电解槽合理改造,铜含量降低,产品纯度从4N提升到5 N。
简介:摘要:科技的进步,促进工程建设事业得到快速发展。工程陶瓷具有硬度高、强度高、耐磨损、热膨胀系数低以及绝缘等优良性能,被广泛应用于机械和航空等领域。由于陶瓷材料具有硬脆特性,磨削加工是其主要的加工方式。在陶瓷磨削加工过程中,涉及到力学、热学、材料学以及化学等多学科问题,在多场强作用下的磨削机理有待进一步揭示。与其他加工方式不同的是,在磨削过程中去除单位体积材料需要大量的能量,这些能量最终都以热的形式进行转化,只有一小部分用于形成新的表面,这会导致磨削区产生较高的磨削温度,而表面温度过高又会对陶瓷表面质量、加工精度、加工效率以及砂轮磨损产生很大影响。此外,陶瓷材料的抗热冲击性能差,高温时会在磨削表面形成烧伤与热裂纹,极大影响其使用寿命。本文就氮化硅陶瓷磨削温度与表面裂纹扩展展开探讨。
简介:摘要本文用椭偏仪测量砷化镓表面氧化层的厚度,并用XPS分析砷化镓表面氧化层的化学组成和氧化层的厚度,发现,清洗后的砷化镓晶片表面会发生自然氧化反应,自然氧化层主要有Ga203、As203、As2O以及少量As元素组成,且随着时间变长,氧化层的厚度越来越厚。