简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。
简介:摘 要:本文拟从反应气体流量、射频电源的功率、产品表面温度和产品与喷头之间的距离四个方面单因素探索每个工艺条件对产品钝化膜层质量所产生的影响,从中得出每个因素单方面最适宜生产产品的工艺参数。然后再通过正交实验,设计 4因素 5水平试样,将各个工艺参数的影响综合进行比较,从中得出最适合生产的工艺参数。在 650V高压 VDMOS功率器件的表面制备 4KÅ氮化硅钝化膜的最佳工艺参数组合为:反应气体流量比例为 38:14,射频功率为 350W,硅片表面的温度为 390℃,硅片与喷头的距离为 340mils。经过试验得出结论,供 VDMOS半导体技术工作者参考。