简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。

简介：摘要在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

简介：摘要：随着经济社会蓬勃发展，我国电力电子领域也获得了极大的发展机遇，智能功率集成电路及综合控制技术的进步，提高了电力技术在各行各业的应用效率，加之功率半导体器件的结合使用，增强了智能功率集成电路的性能，降低其运行条件，进一步起到节约生产成本、实现规模发展的作用。基于此，本文从功率半导体器件与智能功率集成电路概述，阐述了智能功率集成电路中功率半导体器件的实际应用，以期为我国后续电力技术的创新升级打下坚实基础。

简介：功率半导体器件是电力电子技术中用来进行高效电能形态变换，功率控制与处理，以及实现能量调节的新技术核心器件，尤其是高效额定电压，大电流，低损耗和高速开关的全控器件，其技术含量高，成本高，因而，使用过程中，功率半导体器件的过压和过流保护问题显得十分突出，本文就这一问题进行详细讨论。

简介：摘要本文介绍了柔直工程中功率器件的选型，并对功率器件的国产IGBT与国外主流厂家的产品进行对比，并从新工艺、新材料以及性能提升三个方面分析了目前功率器件（IGBT）的发展方向。

简介：在外加磁场中进行氮化处理,能缩短氮化时间2-3倍,能明显提高氮化层的含氮量,明显改善零件表面的机械性能.本文运用磁性理论和热力学理论对磁场在氮化过程中的影响进行较详细的理论分析.

简介：镓(Gallium,Ga)是否为人体的必需微量元素,目前尚无定论。但是业已证实,镓具有丰富的临床功效。经过对含镓化合物的体内代谢与毒性、抗癌作用及对骨质疏松类骨病的疗效分析,指出镓制剂口服毒性低于注射途径,是继顺铂之后第二种治疗癌症的有效元素。镓的抗癌机理可能是镓进入癌细胞后抑制后者对铁的吸收利用,或者进而抑制核苷酸还原酶的活性,阻碍DNA复制。镓改善骨强度的原因是抑制骨的再吸收和提高骨钙含量。

简介：普通用电器的铭牌上一般都标有额定功率、额定电压等,这些所表示的是当用电器正常工作时它所消耗的功率、用电器上的电压等.如果接到电路中的用电器不能正常工作,则它实际消耗的功率不等于它的额定功率.这时的实际功率由用电器的电阻和它的实际电压(或实际电流)来决定.

简介：摘要随着我国经济建设和电子技术的持续发展，电子行业也得到了相应的促进和快速的发展，电子元器件在业内也受到了广泛地运用，其质量控制问题和筛选技术受到了越来越多的重视，相关的分析研究和试验应用不断地在开展。

简介：

简介：随着虚拟现实技术和网络技术的发展,虚拟实验被广泛应用于教学领域.要实现虚拟实验教学,虚拟元器件的设计建模与研究是必不可少的.本文对虚拟器件的概念,特点等进行了系统的阐述,并深入细致的分析了虚拟实验中的元器件的设计、管理等问题.

简介：摘要：电流在单位时间内做的功叫做电功率。是用来表示消耗电能的快慢的物理量，用P表示，它的单位是瓦特（Watt），简称"瓦"，符号是W。如果在t这么长的时间内消耗的电能“W”，那么这个用电器的电功率[就是P=W/t。电功率等于导体两端电压与通过导体电流的乘积 P=U·I。各种不同的用电器，电功率各不相同。常用的家用电器中，空调、微波炉、电热水器的电功率比较大，手电筒的电功率比较小。因每个用电器都有一个正常工作的电压值叫额定电压，用电器在额定电压下正常工作的功率叫做额定功率，用电器在实际电压下工作的功率叫做实际功率。此外要知道用电器的实际功率要进一步准确的测量。

简介：切削刀具表面涂层技术是近几十年应市场需求发展起来的材料表面改性技术。且涂层的显微结构和力学性能受涂层中B含量的影响较多，适量的B元素能够容易与N结合形成非晶相BN，限制晶粒生长，从而形成纳米晶镶嵌在非晶介质中的纳米复合结构，能够提高涂层的硬度，降低摩擦系数，提高抗氧化性。

简介：额定功率和实际功率是电学部分的重点和难点，也是学生的易错点．究其原因，一是学生对额定功率和实际功率没有真正理解．二是在习题的处理上不得要领．笔者发现，在进行这部分教学时，若用实验的方法让学生认知额定功率和实际功率，并及时进行习题解答的方法指导，效果良好

简介：随着电子元器件封装的快速发展，电子元器件的发展已朝着密集型、小型化、微型化前进，手工焊接的难度不断加大，在焊接时稍有不慎就会损伤元器件或造成焊接不良。了解手工焊接的基本知识，掌握正确的焊接方法，有助于提高手工焊接及维修质量。

简介：摘要：本文讨论了真空电子器件进一步发展的前景、方向和技术路线图。指出真空电子器件的小型化和集成化对提高我国装备的性能和战斗能力有重要的作用。真空电子器件虽然有百年发展历史，但今天它仍然是处在发展中的一种器件，它和微电子、光电子和新材料科学的融合，不仅产生了新的器件，还将给装备带来新的性能和战斗能力。

简介：文章讨论了几种薄膜残余应力测试方法的优缺点，介绍了氮化物薄膜应力沿层深分布趋势的最新研究，偏压和N2分压工艺对薄膜应力的影响及几种调节薄膜残余应力的有效方法．脉冲偏压增大，薄膜残余应力显著增加：N2分压增大，薄膜残余应力显著增加．采用独立变化脉冲偏压或变化N2分压工艺制备的薄膜，其残余应力沿层深分布趋势明显均匀，薄膜残余应力可得到有效调整．

简介：摘要本文研究了锑化镓热光伏电池发射极的优化制备过程，建立了镓空位和间隙态镓共存的扩散方法解释了锌在锑化镓中的扩散过程。研究发现，发射极中锌扩散曲线的高浓度扩散前沿中扩散率与浓度呈二次方关系，而制备电池所需的低浓度扩散前沿中扩散率与浓度呈一次方关系。

简介：摘要随着经济的，随着房屋建筑工程飞跃性的发展，房屋建筑工程施工质量也越来越得到建筑企业及国民的关注。施工中，工程质量直接关系着工程质量目标的顺利实现、建筑的使用性能及安全性能。因此，建筑企业在施工过程中要以质量管理为本，落实质量管理责任，增强质量安全意识，采取有效的质量管理控制措施，以确保房屋建筑工程的施工质量。文章就对影响工程质量的各种主要因素，根据实际工作经验，分别从不同环节进行分析、论述，并介绍相关预防措施及改进方法。

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。