简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaitiliationprogram），目标是降低氮化镓（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化镓（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化镓技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。

简介：

简介：摘要：氮化镓（GaN）材料因具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势，被认为是继硅之后最重要的半导体材料之一。本文在对氮化镓半导体现有主要应用领域进行分析的基础上，针对国内市场现状和产业布局进行讨论，并提出氮化镓（GaN）半导体国内从业企业的发展态势及突破方向。

简介：摘要：

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目”氮化镓基激光器”获得重大突破．在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。该氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延的多量子阱增益波导结构，激射波长为410nm，条宽5μm，条长800μm，激射阈值50KA/cm2．

简介：<正>近日,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。

简介：度发蓝光的LED是以氮化镓(GaN)为基底的,因此对GaN的研究和开发成为目前国外和有关机构工作活动的对象.由于以GaN为基底可做成除LED以外的多种器件,它的研究与生产自然更受关注,本文就以综合介绍的形式将GaN的近年来开发应用和市场予以介绍.

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：本文介绍了半导体器件热阻的基本概念，讨论了稳态热阻和瞬态热阻的差别，并重点论述了瞬态热阻的测试原理和方法，说明了瞬态热阻测试的技术难点，还对瞬态热阻的测试条件与合格判据的设定提出原则性建议。

简介：

简介：摘要：在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

简介：摘要变频器在工业生产中得到了广泛的应用，但是变频器受器件的电压电流限制，变频器在低压大电流的场合，需要将功率器件并联使用。本文对IGBT并联使用中的均流技术进行深入探究，并提出解决方法。

简介：摘要在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

简介：摘要：随着经济社会蓬勃发展，我国电力电子领域也获得了极大的发展机遇，智能功率集成电路及综合控制技术的进步，提高了电力技术在各行各业的应用效率，加之功率半导体器件的结合使用，增强了智能功率集成电路的性能，降低其运行条件，进一步起到节约生产成本、实现规模发展的作用。基于此，本文从功率半导体器件与智能功率集成电路概述，阐述了智能功率集成电路中功率半导体器件的实际应用，以期为我国后续电力技术的创新升级打下坚实基础。