简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。

简介：摘要首先阐述了碳化硅材料的基本特性，介绍了碳化硅功率器件的种类及特点、典型应用。

简介：摘要机电工程中电子设备在工作过程中，随着温度达到或超过规定的温度值时，就会引起或增大电子设备的失效率，也就是过热失效。过热失效的原因主要来自电子设备中功率器件的过热。因此，做好电子设备中功率器件的散热设计是提高电子设备质量与可靠性的关键环节。因此本文主要就机电工程中功率器件的散热进行分析研究，以供参考。

简介：摘要本文介绍了柔直工程中功率器件的选型，并对功率器件的国产IGBT与国外主流厂家的产品进行对比，并从新工艺、新材料以及性能提升三个方面分析了目前功率器件（IGBT）的发展方向。

简介：切削刀具表面涂层技术是近几十年应市场需求发展起来的材料表面改性技术。且涂层的显微结构和力学性能受涂层中B含量的影响较多，适量的B元素能够容易与N结合形成非晶相BN，限制晶粒生长，从而形成纳米晶镶嵌在非晶介质中的纳米复合结构，能够提高涂层的硬度，降低摩擦系数，提高抗氧化性。

简介：摘要电子设备基础为元器件，元器件确保电子器件安全可靠，其可靠性对器件的工作性能作用发挥有很大的影响。电子元件是设备和电子系统的基础。伴随电子技术不断进步，设备中运用电子元器件越来越普遍，电子元件的可靠性也更加重要。本文具体阐述了元器件检测筛选详细步骤，以提升其可靠性。

简介：美国海军研究实验室（NRL）已经证明能够生长过渡金属氮化物Nb2N（氮化铌）薄膜。该薄晶体材料具有与氮化镓（GaN）相似的结构，但其电学和物理性质却显着不同。

简介：台湾稳懋半导体是全球首座以六英寸晶圆生产砷化镓电路的专业晶圆代工服务厂。近期,稳懋完成了新一轮晶圆厂翻新扩张,对其第三家最新的晶圆厂（FabC）配备最先进的净化间、工艺线和砷化镓微波集成电路（GaAsMMIC）生产设备,以及复合半导体外延生长、制造和光学检测设备。稳懋主要提供HBT、pHEMT、集成BiHEMT方案和光学设备,用于功率放大器、WiFi、无线区域性网络基建和光学市场。

简介：摘要当我国在1986年将回收锗镓的工艺应用到工业生产之后，我们的工业中采取全萃法进行回收锗镓这一问题就得以解决了。但是在协同萃取锗的时候，想要反萃取锗却是一个难题。在我们的工业生产中，曾经有两种锗的反萃剂得到了使用。第一种方法是用HF作为反萃剂，可以得到较高的反萃率。但是这个方法有一定的缺点。比如反萃取液体会有毒，强腐蚀性等，这些都是不可忽视的缺点。第二种方法就是用氨水和(NH4)2SO4作为反萃液，它也有相应的缺点锗的反萃率比较低，只有50％左右。但是这个方法和前一种方法相比，是无毒的，腐蚀性很小，而且操作的流程简单。所以这种方法还是有一定的实用性的。综合上述两种方法来看，如果想在实际工业生产中连续性的萃取锗的话，这两种方法的操作和结果还是不太让人满意的。

简介：摘要随着转炉冶炼高强度低合金钢技术的飞速发展,氮化钒的应用不断增加。在还原氮化五氧化二钒制备氮化钒的过程中,还原程度直接影响氮化程度,为了寻求一种经济、高效的制取氮化钒的方法。本文分析了五氧化二钒制备氮化钒的过程。

简介：摘要本文主要研究了新型热控材料器件的相关问题，重点对其新型热控材料器件的应用进行分析，提出了应用的具体的环节和应用的一些关键要素，供参考和借鉴。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：摘要散元素矿石经HCl-HNO3-HF-HClO4消解后，用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）测定重金属元素Ni、Cu、Zn、Cd、Sb、Pb、Bi的含量。该方法检出限为0.004～0.51?g?g-1，相对标准偏差（RSD，n=6）为1.08%～4.67%，分析结果准确可靠，是测定稀散元素矿石中重金属含量的一种较好的分析方法。

简介：摘要本课题设计的光功率计主要用于对He-Ne激光的检测，设计出简单实用的光功率计，从而掌握光电接收，信号调理，模数转换，数字显示等典型的光电检测环节的设计。

简介：摘要本文对比分析了GaN器件，CoolMOS和SiC二极管的开关损耗，并将图腾PFC和市场主流的H桥PFC进行对比研究。通过两台实验样机研究了GaN器件直接替换CoolMOS后的效率改善，也对比了两种拓扑都使用GaN器件的效率差异，对现有GaN器件的整体性能进行了评估。最后，都使用工频整流对两种PFC拓扑的效率提升空间进行了探索。

简介：摘要变流器在整个工业行业的应用日益广泛，其性能与质量对整个系统可靠性有着深远影响，如何在出厂试验中对大功率功率器件的性能进行有效检测显得尤为重要，现在行业内检测的方式五花八门且没有一定标准，本文首先对业内常用考核方式的特点进行了介绍，然后再对如何研究考核时间做了详细阐述。

简介：

简介：摘要为了满足9kHz～50GHz宽频带范围内不同接头功率敏感器的高准确度校准需求，通过对采用热敏电阻座进行量值传递的校准方法和原理进行分析，提出了宽频带系统采用不同接头形式的标准热敏电阻座建立小功率校准装置的必要性，并针对系统中不同接头形式的标准热敏电阻座的连接问题设计了高准确度的多电桥热敏电阻功率计以节约成本。最后通过此系统不同接头形式的功率标准分别对不同接头形式的功率敏感器进行校准实验和数据分析，证明了此系统的优越性能。

简介：摘要电器维修检测的基本功之一即是检测元器，元器件的参数如何是判断器材是否正常的重要的一项指标，在测试中的标准不一，根据具体的情况方法不同，在检测中，要不断的积累经验，根据元器件的情况来做出判断，以选择合适的检测方法。本文首先阐述了电器电子元器件的特征，分析了其损坏的原因及表现，并就电器电子元器件的检测方法做了详细论述。

简介：摘要在电子产品检测及调试过程中，电子元器件的检测和维护是非常关键的业务，只有建立健全有效的检测机制和管理措施，优化参数分析效果，才能着重判断电子元器件的常规化运行效果，并结合不同方式对电子元器件进行综合性判定。本文对电阻器、电容器、电压器等电子元器件检测经验和方法展开了深度分析，旨在为研究人员提供更加有价值的参考建议。