简介：主要开展了高内相乳液法（HIPE）制备有机／无机杂化低密度多孔材料。制备了不同SiO2含量的丙烯酸酯／SiO2杂化多孔材料，研究不同无机含量对杂化材料体积收缩的影响，结果列于表1。

简介：依照文献以L-苯甘氨酸为手性源合成了一个手性阴离子两亲小分子化合物.利用圆二色谱表征了该化合物水中的自组装行为.通过溶胶-凝胶复制法,以该手性两亲小分子化合物和结构助剂的组装体为模板制备了右手螺旋有机-无机杂化氧化硅纳米管.圆二色谱表征结果表明,4,4′-亚联苯基氧化硅中的联苯基团呈手性堆积.

简介：杂化轨道理论是高中化学教学中一个重要知识点,也是每年高考中必考内容。老师在讲授这部分内容时都是根据一个计算公式,首先计算出孤对电子数目,并由成键原子得出σ键数目,从而得出价层电子对数。然后利用价层电子对数和互斥模型的关系确定分子构型和杂化类型。这样学生虽然能够确定中心原子杂化方式,但不理解为什么这样杂化,有时候还会得出错误结论。

简介：采用水热合成方法构建了基于Preyssler型多酸[S5W30O110]的有机-无机杂化材料,其分子式为[HKS5W30O110]·（2,2-Hbpy）8·2H2O（1,bpy=bipyridine）.单晶X-射线衍射分析表明化合物1是由S-中心的Preyssler型多酸作为模版,被2,2-联吡啶分子包围形成的核壳结构的有机无机杂化材料.这是第一例基于S-中心Preyssler型多酸的超分子核壳结构.其中质子化的2,2’-联吡啶有机基团通过静电作用与Preyssler型多酸分子构筑成有机无机杂化材料.该化合物属于三斜晶系,空间群为P-1.晶胞参数：a=1.79505（2）nm,b=1.83478（2）nm,c=4.12816（4）nm,α=85.0610（10）°,β=80.6160（10）°,γ=60.7210（10）°,晶胞体积为11.7002（2）nm3.

简介：利用水热方法合成了一种Keggin型多酸基有机无机杂化材料,化学式为（Hpydz）Na[Co（pydz）4（H2O）2][SiW（12）O（40）]·3H2O（pydz=pyridazine）.单晶X-射线研究表明,在该化合物中,Keggin型多阴离子与钠离子连接构筑成三维孔状结构,其中钴-哒嗪阳离子有机基团作为客体分子,通过静电相互作用存在于三维孔道结构中,构筑成有机-无机杂化材料.该化合物属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数a=1.9377（2）nm,b=1.6788（2）nm,c=1.7680（2）nm,α=90°,β=98.612（3）°,γ=90°,V=5.68651nm3.

简介：综述了金属离子与多齿含氮配体构筑的无机-有机杂化材料,并概述了这些材料在光催化降解亚甲基蓝（MB）方面的研究进展.为此类材料在光催化降解染料方面的研究提供了理论和实验基础.

简介：采用二次量子化的方法求解等离子体凝胶模型下的基态能量,并计算出微扰对基态能量的一级修正,计算结果接近于实际金属。

简介：为了改善闪烁探测器对某些恶劣环境的适应能力，有时需要用硅凝胶对闪烁探测器内部进行灌封。灌封后的探测器在环境适应性考核（如高／低气压、随机振动、离心以及加速度等）中取得了成功，但灌封后探测器的灵敏度普遍降低。

简介：建立了火焰原子吸收光谱法测定废杂铜中银量的新方法，研究了在盐酸介质或氨水介质中测定银的条件，并对两种介质中测定的结果与行业标准分析方法的结果进行比对。研究表明，盐酸（15％）介质适用于废杂铜中Ag≤1300g／t的样品测定，氨水（10％）介质适用于废杂铜中Ag≥500g／t的样品测定，火焰原子吸收光谱法测得结果与标准分析方法测得的结果吻合。方法已应用于废杂铜中银量的测定，结果满意。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：研制出以固态AgCl-KCl-聚乙烯醇-琼脂混合物为导电凝胶的全固态Ag/AgCl参比电极（AllState-ReferencrElectrode,简写为ASRE）。将ASRE与pH玻璃电极组成电极组,直接电位法测定pH2.00-12.00磷酸盐缓冲溶液的pH值,与以饱和甘汞电极为参比电极（SCE）的测定结果比较,相对误差为-0.8%-＋0.8%;与氯离子选择电极组合测定1.00×10^（-1）-1.00×10^（-4）mol/LNaCl的电池电动势ΔE,-lgc（Cl-）与ΔE呈良好的线性关系,斜率为-49.3,与以双盐桥SCE为参比电极时的斜率（-49.9）基本一致,表明ASRE能够代替双盐桥SCE运用于Cl-浓度的测定。在10-80℃范围内,以KNO_3溶液（1.000mol/L）为模型,测定ASRE相对于SCE的ΔE,ΔE与T呈线性关系,温度系数为0.123mV/℃。ASRE有望代替传统参比电极,应用于离线或在线电化学测定中。

简介：利用Suzuki偶联反应，合成了新型的螺芴-9，9′-氧杂葸基三聚物（TriSFX），其结构经-HNMR和GC—MS分析确证．初步的光谱性质研究表明：TriSFX的最大发射峰位于345和355nm，有希望作为磷光主体材料应用于OLED领域．

简介：采用密度泛函理论B3LYP/6-311G＊＊方法,对一系列以联吡嗪为中心的有机共轭杂环分子的二阶非线性光学（NLO）性质和电子光谱进行了研究.结果表明,分子两侧给、受体取代基推或拉电子能力的增大,五元共轭杂环吡咯,呋喃以及噻吩环的引入明显地提高分子的二阶NLO系数βtot值,且降低了分子的最大吸收波长λmax,从而有利于解决＂非线性与透光性＂的矛盾.该系列分子由于具有较大的βtot值,较好的透光性,可以作为潜在的NLO材料.

简介：以-·N-O-为自旋中心(SC),间苯为铁磁耦合单元(FC),苯、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪为端基(EG),设计一系列新型稳定高自旋分子.另外以-*N-O-为SC,苯、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪为FC,苯为EG,又设计另一系列新型稳定高自旋分子,并通过AM1-CI方法计算,研究了不同杂环作为端基或耦合单元对高自旋分子自旋多重度稳定性的影响.

简介：利用MP2和mPWPW91方法,在6-311G＊＊和6-311＋＋G＊＊基组水平上研究了RDX分别与硝基、氨基和迭氮基取代的氮杂杯[2]-间-芳烃[2]三嗪和氮杂杯[2]-对-芳烃[2]三嗪形成的分子间氢键相互作用,并借助自然键轨道（NBO）和分子中的原子（AIM）理论揭示了氢键的本质.结果表明,氮杂杯[2]-间-芳烃[2]三嗪复合物中氢键主要发生在RDX与三嗪环及其取代基之间;氮杂杯[2]-对-芳烃[2]三嗪复合物中氢键主要发生在RDX与杯芳烃环及其取代基之间.分子间相互作用能在-18.82--40.62kJ/mol之间;经基组叠加误差（BSSE）校正后,相互作用能顺序为e〉f≈b〉a〉c〉d和e′〉b′〉f′〉a′〉d′〉c′.两类复合物中,氨基取代的复合物分子间氢键强于硝基或叠氮基复合物分子间氢键,氨基氮杂杯[2]-对-芳烃[2]三嗪与RDX形成的氢键最强,有望作为降低火炸药感度、进行火炸药废水处理的候选物.为获得稳定性较强的RDX-氨基氮杂杯芳烃超分子炸药,应该选取介电常数较大的溶剂.

简介：采用水热合成方法制备出了1个12-钒钨酸基咪唑杂化化合物（C3H5N2）4[VW12O40]·1.25H2O,并用IR、UV和X射线单晶衍射技术对其结构进行了表征.结构解析结果表明,该晶体属于三斜晶系,空间群为P1-,它是由[VW12O40]4-簇阴离子,质子化的咪唑和结晶水组成.将标题化合物制成碳糊电极,利用循环伏安法研究了其电化学行为及其对NO2-还原的电催化性能;以罗丹明B为模拟物,探究了该化合物的光催化活性.结果表明,用标题化合物修饰的碳糊电极对NO2-的还原具有良好的电催化效果;标题化合物作为光催化剂在降解罗丹明B反应中具有良好的可见光催化活性.

简介：利用多组分反应方法,合成了一种螺环结构的2′,7′-二氨基-5-甲基-2,4′-二氧代-4′,8′-二氢-3＇H-螺[吲哚啉-3,5′-吡啶[2,3-d]嘧啶]-6′-腈化合物4,并对该化合物进行了红外光谱、核磁共振氢谱、元素分析以及X-射线单晶衍射表征.单晶衍射结果表明：该晶体属于三斜晶系,空间群P-1,晶体参数为a=1.3081nm,b=1.3163nm,c=1.4542nm,α=71.668（1）°,β=78.074（2）°,γ=66.475（1）°.在每个晶胞结构单元中含有一对对映异构体分子,分子中通过螺碳原子相连的吲哚环和二氢吡啶环处于几乎垂直构型,其二面角为89.15（2）°;稠合的二氢吡啶环和嘧啶环几乎共平面,其二面角为0.93（2）°.

简介：采用自然蒸发法,合成了2个新颖的有机-无机杂化配合物[C_8H_6N_3S]_2[H_2Mo_2O_7]（1）和[CoⅡ（C_8H_8N_3OS）_2]_2[H_3PW_（12）O_（40）]·4DMF（2）,并对其进行了元素分析、IR、TG和单晶X-射线衍射表征.结果表明：化合物1是由1个双核多阴离子[H2Mo2O7]2-与2个有机组分[C_8H_6N_3S]＋通过共价键形成的一维链状结构;化合物2是由水杨醛缩氨基合钴与DMF分子及多酸阴离子通过氢键作用形成的三维网状结构,其中水杨醛缩氨基硫脲合钴呈风车型.

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.