简介:本文针对2015年泉州市中考物理第20题的考查知识点、试题的讲解、试题的延伸等进行物理说明。
简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.
说泉州市2015年中考物理第20题
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响