简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。
简介：
简介：1引言低能自由空气电离室（RPS—2）是本实验室在70年代末为解决K荧光X参考辐射照射量率的测量问题而自行研制的,见图1。用于仪表刻度的K荧光X参考辐射源给出的低能X辐射可低达6keV或更低,ISO4073推荐的能量下限为8.6keV,而本实验室的参考仪器NPL2560次级标准照射量仪主要是用于过滤X参考辐射照射量的测量,在16.5keV以下的能区就无法给出量值。低能自由空气电离室的研制,解决了这一问题,它是从伦琴的基本定义出发,主要参考了美国NBSRitz的类似工作而设计的,设计使用的能量范围小于
GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究
LiAlO2晶体位错特征的X射线形貌分析
北京自由电子激光装置的现状及未来发展计划
自制低能自由空气电离室(PRS—2)与电离室(NPL2561)的比对
