简介：

简介：本文介绍北京同步辐射装置(BSRF)小角X射线散射实验站实验数据的初步处理方法，即由成像板探测器检测到的散射信号转换成角度及其对应的强度数据的方法，并对数据转换过程中可能遇到的问题进行了详细的讨论．

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简介：在北京同步辐射装置上应用同步辐射X射线小角散射技术研究TATB样品微孔状况，分析了微孔结构参数的变化。采用不同制备工艺(机械研磨、化学合成、气流细化、全结晶、粉碎)和不同存放时间的TATB粉末样品共计7份。

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简介：在冲击动态加载破坏下，金属材料会产生微孔洞、微裂纹和位错等微结构缺陷，这会明显影响材料的某些性能。采用中子小角散射技术研究了冲击加载前后合金材料微缺陷的变化。实验样品分别是以Al和Mg为基体、含有少量其他元素的两种圆柱状合金材料，将样品用不同速度的钢弹冲击，测量样品为加载前、后合金材料共计4个。

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简介：密集散射体体系的小角散射往往存在干涉效应的影响[1]。所谓密集体系并不一定意味着有相当大的样品浓度，往往散射体的实在体积与样品体积的比值大于5％对散射曲线就有较大的影响。密集散射体之间的相互干涉效应理论上较难分析，因为这时的散射强度不仅取决于散射体按大小的分布，而且还取决于它们在空间的位置分布。在较大角域大散射体的散射强度接近于零，实质上不参与干涉：在很小角域各种散射体的散射强度均比较高而相互干涉。这时由实验曲线计算出的散射体的几何尺寸值将小于真实值。

简介：小角X射线散射(SAXS)是研究多孔材料结构的一种有效方法．可得到孔径分布、平均孔径、比表面、界面层厚度、分形维数等许多微结构信息．SAXS理论公式基于点状光源(针孔准直)，但实践中则大多采用长狭缝准直条件．简要综述了SAXS在长狭缝准直条件下直接应用模糊强度进行煤、炭、二凝胶、分子筛等多孔材料结构解析的方法、并与针孔准直进行了对比。

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简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：采用溶胶－凝胶方法在碱性条件下制备SiO2和ZrO2溶胶，应用同步辐射小角X射线散射（SAXS）法研究了溶胶的结构，结果表明，溶胶粒子是多分散的，其生长、聚集受RLCA和Eden模型的共同控制，是一种非线性的动力学过程，所形成的聚集体呈随机、分岔、稠密不同的结构，具有质量分形的特征。同时还发现所研究溶胶的散射曲线均不遵守Porod定理，形成负偏离或正偏离。这说明在溶胶粒子与分散介质间有过渡相存在。对上述偏离进行了定性和定量的分析，提出了正偏离时的定量解析方法，从而得到了胶体系统中有关过渡层（界面层）结构的重要信息。

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简介：当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时，实测散射强度将形成对Porod定理的正偏离，从而使散射体的散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离的方法：作出ln[q^3I^-(q)]-q^2曲线，用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线，求出斜率σ^2,作出ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2-q^2曲线即为无偏离的Porod曲线，由此曲线再还原出无偏离的散射强度，即I^-'(q)=exp{ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2}/q^3，再以醇热法合成的介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。

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简介：溶胶界西层厚应通常是用Porod法对高角区负偏离的队Porod曲线进行拟合求算，但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均阗径之差而获得平均界面厚度。应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度。

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简介：本文介绍了BSRF4W1B束线及XAFS实验站八五改造工程的目标，主要工作，及改进后该实验系统达到的各项主要技术指标及运行状态。

简介：完成了上海同步辐射装置医学应用光束线和实验站的物理设计，并开始了有关技术设计及其难点的初步考虑。采用一个磁场强度为1.8T、周期数为10的多极扭摆器为冠状动脉心血管造提供所需的强X光束；利用一块Laue弯晶Si(111)单色器可得到比所需大三倍、能量分别在碘吸收边上下的二束单色X光束；造影过程将通过病人座椅的扫描运动和一个双列线形探测器来实现。