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13 个结果
  • 简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 同步辐射X射线形貌术 缺陷 铁电畴 砷酸钛氧钾 激光材料
  • 简介:红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究,在近完整晶体内近中心的(001)和(010)结晶学平面观察到生长带,生长方向平行于(100)和(010)。在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

  • 标签: 金刚石 晶体缺陷 形貌 结构缺陷 同步辐射 红外吸收光谱
  • 简介:首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

  • 标签: Cr:KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体
  • 简介:LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

  • 标签: LiNdP4O12晶体 生长缺陷 同步辐射X射线白光形貌术 助熔剂籽晶旋转法缺陷 包裹物 位错
  • 简介:LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向的极性有关。

  • 标签: GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM
  • 简介:利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异的原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰的旁埃斑。

  • 标签: 偏硼酸钡 α-BaB2O4晶体 缺陷 同步辐射X射线白光 形貌 偏硼酸钡
  • 简介:采用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法研究了TNAB系列晶体NdxGd1-xAl3(BO3)4(NGAB)和YbxY1-xAl3(BO3)4(YbYAB)晶体中的生长缺陷。发现生长孪晶是该系列晶体中普遍存在的缺陷。NGAB晶体中的孪晶为180°旋转孪晶,操作轴为[0001]轴,即结构的三次对称轴,该孪晶以结构因子的衬度出现在X射线形貌像中:而YbYAB晶体中的孪晶则为反演孪晶,主晶与孪晶的结构互为中心对称。该孪晶在X射线形貌像中不出现畸的衬底,而仅出现界面的运动学衬度。

  • 标签: NdxY1-xAl3(BO3)4 生长缺陷 晶体缺陷 激光晶体 同步辐射白光形貌术 化学腐蚀法
  • 简介:本文介绍了同步辐射光源的特点,以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果,扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

  • 标签: 同步辐射 X射线形貌术 晶体缺陷 晶体生长