简介:为了保证从PLIF(planarlaserinducedfluorescence)测量的荧光图像中提取温度和浓度信息的真实性和可靠性,开展了荧光图像降噪方法及评价研究.分析荧光图像中包含的各种噪声来源,比较了荧光信号与噪声特征的差异性;分析了几种常用滤波方法的特点,比较了不同滤波方法对荧光图像中含有米散射噪声的去除效果;分析了图像降噪处理效果的评价方法,选用了差值图像比较的方法,通过检查荧光图像与处理图像的差值图像中含有荧光图像结构信息的程度,检验降噪方法对荧光图像信息的损伤情况.结果表明,形态学图像重构对荧光图像中米散射噪声去除较好,而且对图像中原有荧光信息的数值和分布有较好的保护.
简介:近年来对罗布泊地区北缘地质、水文、环境及气候的研究发现:1)罗布泊地区第四纪以来新构造运动活跃.中、晚更新世期间,先后发生三次构造活动,形成了三条北东东向的构造线,这可能影响到同时代该区古湖边界的进退.其中,F1断裂向北逆冲,致使晚更新世古湖边界向南退缩,罗布泊逐渐萎缩,期间也有湖进,但始终未越过晚更新世古湖边界线.古湖北岸各时期的古湖岸线变迁表明,早更新世以来,除中更新世晚期最大规模的一次湖进事件外,其他时期的古湖岸线均向东南推进,期间也发生了多次小规模的湖进湖退现象.2)在晚更新世古湖相沉积时段内,罗布泊完成了由深湖亚相到三角洲亚相再到深湖亚相的旋回,期间有几次沉积间断,间断面伴有数cm厚的风积物及薄层盐碱壳.3)罗布泊古湖位置和湖面规模多次变化,既有地壳活动的原因,也与气候波动有关,多因素的环境变迁机制造成该地区同一时期不同地段呈现不同的生态景象,中更新世地层中孢粉类型与同时期中部和东部地区有一些差异,反映了当时罗布泊东部为半干旱荒漠草原,西北部为疏林草原.
简介:推导了考虑爆炸产物发生化学反应时,约束空间内准静态压力的计算公式.以TNT炸药发生约束爆炸为例,分析了不同药量体积比下爆炸产物的化学反应动力学过程.编写了计算TNT炸药约束爆炸后准静态压力的程序,将程序计算结果与实验测量结果和ConWep程序计算结果进行对比,验证了计算方法的准确性,证明了爆炸产物发生化学反应对约束爆炸准静态压力有重要的影响.考虑爆炸产物发生化学反应对压力的影响,利用LS-DYNA对TNT炸药在一长方体药室内的爆炸进行了数值模拟,模拟结果表明,考虑爆炸产物发生化学反应时,药室会出现局部塑性应变与应力集中现象,最大塑性应变达到0.8‰.
简介:针对珠海“国家园林城市”需要定量评估的问题,利用遥感模型和Landsat卫星图像反演地表温度、NDVI植被指数和MNDWI水体指数,定量分析其空间分布特征及影响关系。结果表明,大部分居民区的绿化覆盖率较高,NDVI在0.1~O.2,而大部分林地的NDVI在0.4~0.5,没有出现连续大面积的高地表温度区。NDVI〉O.3时,地表温度随NDVI的增加而快速下降,而NDVI在0.0~0.3地表温度随NDVI的增加而升高,平均地表温度峰值在NDVI为0.3,裸露的海滩、河滩等滩涂表面温度较低,减弱了裸露人工建筑高温像元的影响,使得结果与已有对其它内陆城市的研究不同。地表温度随水体指数的增加而降低,呈负相关关系。茂密的绿化林地、海洋等大面积水体、大面积滩涂和沼泽等湿地对调节珠海城市热环境发挥重要作用。
简介:采用自编的数值模拟程序,数值模拟了激光在大气传输中的聚焦不等晕性,分析了不同激光波长、激光发射口径、大气湍流强度及信标光高度下,聚焦不等晕性对激光发射自适应光学系统波前校正的影响,数值模拟结果与解析公式计算结果吻合较好。数值模拟结果表明,在其他条件不变的情况下,激光发射口径越大,或者湍流强度越强,聚焦不等晕性对激光发射自适应光学系统波前校正的影响就越大;激光导星的高度越高,聚焦不等晕性的影响越小。
简介:阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40~60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015~1016cm-3.
简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。