简介：自2005年9月美国苹果电脑公司推出2Gb／4GbNAND闪存替代微硬盘的ipodnano以来，在便携式消费类电子产品中NAND闪存替代微硬盘的呼声日益高涨，NAND闪存VS微硬盘的竞争日趋激烈，NAND闪存能PK掉微硬盘吗？这是NAND闪存和微硬盘业界共同关心的话题。业界普遍认为，NAND闪存与微硬盘将共存很长一段时间，正如希捷CEOBillWatkins所说：“微硬盘与NAND闪存是一对好朋友”。当前微硬盘大规模向NAND闪存转变不太可能，或许也没有必要。从长远看，哪一种存储技术将占主导尚不明确。但是，2006年初三星电子半导体CEO黄昌圭放言：“硬盘时代”正逐渐结束，“闪存时代”即将来临。从短期看，2Gb／4Gb存储容量将成为双方争夺的对象，正如isuppli公司评论：”2006年微硬盘和NAND闪存两手都要硬”。在便携式消费类电子产品中到底采用哪一种存储器，由其存储容量、成本、尺寸、功耗和可靠性来决定。

简介：闪存是取代磁盘成为主流存储设备的首选，但由于闪存的特殊的硬件特征，闪存的存储管理成为了目前研究的热点。闪存在什么时候回收垃圾块，怎样回收，是使磨损均匀分布，延长设备寿命的重要策略。文章就目前的垃圾回收策略做了进一步改进，从而降低块的选择和数据转移代价。

简介：7月21日，英特尔公司宣布开始采用更为先进的NAND闪存固态硬盘（SSD），34纳米产品将使SSD的价格与一年前降低60％。SSD是电脑中的数据存储设备，与传统硬盘（HDD）相比，拥有更强大的性能和更好的节能性，而且更加坚固耐用。SSD不仅是游戏玩家、媒体创建者和技术爱好者的最爱，而且在超薄超轻笔记本电脑的诞生过程中发挥了举足轻重的作用。

简介：（NihonKeizaiShimbun）周日的报道称，日本东芝公司计划在今后三年内投资18亿美元（大约折合2000亿日元），使其闪存芯片基地产量增加150％。

简介：英特尔和美光日前开始量产双方联合开发的34nm32GMLCNANDFlash。双方的合资公司IMFlash表示,明年将开始试产34nm低密度MLC（multi-levelcell）和SLC（Single-levelcell）产品。该公司称34nmNANDflash量产提前开始,今年年底预计Lehi工厂将有50%的产能转向34nm。

简介：摘要：本文通过对非易失性存储芯片测试的国内外研究成果进行学习归纳，探索当前国内外学者关于非易失性存储芯片测试的前沿技术和成果，从而为优化该芯片数据存纳、读取技术的优化升级提供理论支持。研究认为：当前非易失性存储芯片将取代传统芯片得到广泛应用，而关于非易失性存储芯片的测试研究还相对薄弱，希望本文能为该领域研究成果进行积极补充。

简介：ARM无疑已经成为目前比较热门的一个话题，嵌入式ARM微处理器在很多领域都有了广泛的应用和前景。文章以内核为ARM920T的处理器S3C2410为研究对象，重点介绍了怎样在核心板上创建NANDflash存储器管理系统。在简单分析NANDflash存储设备的基础上，介绍了NANDflash的工作方式，对NANDflash的读、写、擦除驱动程序的编写做了详细介绍，并引入了MTD技术来实现上层应用程序对NANDflash的透明操作。

简介：嵌入式系统的大量数据都存储在其Flash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NANDFlash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。该系统改进了FAT表和FRT表的存储方式，延长了存储器的使用寿命，提高了稳定性。

简介：TheNANDoperationat250Gbit/sbasedonquantumdot-semiconductoropticalamplifiers(QD-SOAs)ismodeled.BysolvingtherateequationsofSOAsintheformofaMach-Zehnderinterferometer(MZI),theperformanceofNANDgateisnumericallyinvestigated.Themodeltakestheeffectsofampli?edspontaneousemission(ASE)andtheinputpulseenergyonthesystem'squalityfactorintoaccount.ResultsshowthatNANDgateinQD-SOA-MZIbasedstructureisfeasibleat250Gbit/swithaproperqualityfactor.Thedecreaseinqualityfactorispredictedforhighspontaneousemissionfactor(NSP).Foranidealamplifier(NSP=2),theQ-factoris17.8for30dBgain.

简介：据国外媒体报道，据台湾集邦科技（dramexchangetechnologyinc）发表的行业数据显示，NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的颢高，反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。