简介：日前，VishayIntertechnologyInc．推出三款双单刀双掷（SPDT）单yCCMOS模拟开关，这些器件在尺寸较小的封装中结合了低工作电压范围及低导通电阻额定值，它们主要面向便携式及电池供电终端产品中的信号路由应用。

简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

简介：日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,公司一举拿下ElectronicsForYou（EFY）电容器类别、二极管类别和三极管及电阻类别这三个类别的2012读者选择奖。EFY读者选择奖的颁奖典礼在印度班加罗尔举行,表彰对印度电子行业发展作出突出贡献的知名品牌和组织。

简介：ViShay宣布推出其VOR系列混合固态继电器中的首批3颗器件，为通信、工业、保安系统和医疗设备提供了高可靠性和无噪声切换功能。

简介：Vishay日前宣布，发布新款液钽高能电容器一HE4，这款元件在＋25℃和lkHz条件下的最大ESR只有0．025Q，在市场上类似器件当中容量最高。HE4的制造工艺使其可以承受高应力和恶劣的环境，采用可在军工和航天应用中提高可靠性和性能的特殊壳体设计。

简介：VishayIntertechnology公司为SCA近期改造的幅宽7m的PM4卫生纸机安装了一套卷取优化系统。这台纸机位于奥地利Pernitz市的Ortmann纸厂，是1992年安装的，是世界上最大的卫生纸机之一，生产能力8．8万t／a，生产车速1830m／min。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其QUADHIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad2525外形尺寸的器件。QUADHIFREQ2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018Ω的超低ESR,直流电压高达3600V。该VishayVitramon器件基于极为稳定的陶瓷电介质,具有很高的串联谐

简介：<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

简介：日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新的200VFREDPt~？Ultrafast快恢复整流器——VS-6DKH02-M3和VS-8DKH02-M3,汽车级VS-6DKH02HM3和VS-8DKH02HM3。新整流器采用高热效的FlatPAK？5x6封装,高度小于1mm。

简介：Vishay推出新的4路ESD保护阵列——VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺寸的芯片级CLP1007-5L封装，可用于便携式电子产品。在不牺牲性能的前提下，VishaySemiconductorsVBUS54FD-SDI的尺寸远小于前一代元器件，具有低电容和低漏电流的特点，可保护高速数据线路免收瞬变电压信号的影响。

简介：<正>2015年1月28日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻—NGR系列器件。MilwaukeeResistors(VishayDaleResistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成,安装在耐用、耐候,具有极高电压隔离的IP23外壳里,具有高线路中性点和系统电压,工作温度可达+760℃。NGR系列电阻能方便地直接替换竞争方案,可为Y形(星形)配置的发电

简介：22015年5月18日，VishayIntertcchnology，lnc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleResistorsElectro-FilmsBRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有120milx35mil（外形A）和240mil×35mil（外形B）两种小外形尺寸，能够在不牺牲性能的情况下，实现更小的产品设计。

简介：VishayIntertechnology。Inc．推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB．该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET?功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电

简介：VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布用于遥控系统的新系列微型红外接收器---TSOP85…AP5,扩充其光电子产品组合。这些接收器将一个PIN二极管、前置放大器和用于PCM频段的内部滤波器装入一个顶视尺寸只有1．3mm的超薄封装内。

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。