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24 个结果
  • 简介:利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156+156*0.18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验,得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系,从而找出了Q开关的最佳频率范围值,并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片电性能参数差异的原因。

  • 标签: 调Q频率 激光划片 开路电压 短路电流 填充因子
  • 简介:对单晶硅太阳电池进行150℃、200℃的热处理,发现其输出特性有所提高。将单晶硅太阳电池在灯光下辐照12小时,在灯光辐照过程中,样品的转换效率随光照时间的增加而呈总体下降的态势,且下降一定程度后转换效率基本不变,对辐照过的样品分别进行150℃、200℃的热处理,热处理后的电池样品的转换效率得到了回复。

  • 标签: 太阳电池 热处理 灯光辐照
  • 简介:研究了钙钛矿太阳能电池材料CH3NH3PbI3(CH3NH3=MA,MAPbI3)的输运特性,理论分析了有机分子MA对晶格结构的影响。发现:MA沿[110]方向排布且近邻MA分子相互垂直的构型最稳定,将此构型作为MAPbI3的标准结构,使用第一性原理方法,通过分析晶格的振动散射或声子散射,计算了MAPbI3材料中形变势散射主导的载流子迁移率,分析了材料的输运特性,讨论了载流子迁移率理论计算值和实验值之间的差异。

  • 标签: CH3NH3PbI3 几何结构 形变势散射 迁移率
  • 简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

  • 标签: 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI