简介：讨论了可调谐半导体激光器的发展，对可调谐外腔半导体激光器的研究情况进行了综述，并报道了外腔半导体激光器的应用。

简介：光子晶体（PC）具有周期性折射率变化，并具有实现新型光器件的极大潜力，正受到广泛关注。本文介绍了PC基本原理与特性，并介绍了表面发射（SE）光子晶体分布反馈（DFB）半导体激光器的结构、最佳化设计、制作工艺和输出特性。

简介：从高重复率、超短脉冲光源--主动锁模光纤激光器的进展历程出发,重点综述其各种稳定方法,并在此基础上讨论颇受关注的多波长产生技术.随着技术的进一步完善,主动锁模光纤激光器将在未来高速光通信系统中发挥举足轻重的作用.

简介：为了提高激光二极管的寿命与功率密度,对微片激光器的兴趣正在增加。微片激光器的费用较传统的要低,制造技术也相对简单。此外,这类激光器可以有效地解决将激光二极管的发散光束与低相干性的光束转换或受衍射限制的光束,即光谱上纯的激光模式。而且,微片激光器是波长可调谐的,新近甚至已是Q开关激光器。这样就打开了镇模操作与倍频的途径。

简介：射流氧碘激光器研制的关键是实验参数的匹配。这里分别对射流孔径大小、挤压压力、进气流量、碘喷管贯穿参数、腔镜反射率对出光性能的影响进行了实验，寻找出最佳匹配参数，同时对射流激光器的运行时序进行了优化，实现了激光器总效率15％，输出功率7kW。

简介：文章简要回顾紫外光源发展历史，重点介绍了紫外激光器的种类和各种紫外激光器性能和应用情况，侧重于准分子激光器和晶体倍频激光近年的发展情况。

简介：1透明陶瓷激光器的发展简况1964年——Halch等首次报道了用真空热压烧结法制备的Dy：CaF2陶瓷的激光研究，其激光器在液氮温度下实现了激光振荡，振荡阈值与单晶近似。

简介：光束合成是研制高功率、高光束质量固体激光器的必由途径。建立板条介质固体激光器阵列光束合成的理论模型，从子束间距、整体相位差、偏振态、随机像差等方面，分析了合成光束的远场特性。通过数值模拟可以看到，子束间距决定了合成光束远场光斑的衍射旁瓣的大小和多少；子束间整体相位差决定着合成光束远场中心光斑是否分离，并影响着峰值光强和工方向半径大小；偏振态差异决定了合成光束是否为相干合成或强度叠加；予束随机像差降低了合成光束的远场光斑峰值功率，并引起光束的弥散。分析结论对激光器研制中合理分配设计容差具有一定指导意义。

简介：随着高功率固体激光器的迅速发展，对激光器的输出能力、稳定性、寿命等都提出了较高的要求。大口径光学元件是激光器的关键元器件，激光器要在高通量下运行需要它具有较高的抗损伤本领。决定光学元件抗损伤能力的因素除材料本身和制造工艺外，另一个重要的因素就是其表面的污染。理论和实验均表明，光学元件表面的污染物会降低抗损伤能力，提高光学元件表面的洁净水平能有效地提高抗损伤能力。

简介：垂直腔面发射激光器（VCSEL）是二极管泵浦的多量子阱增益介质半导体激光器。近年来，垂直腔面发射激光器作为半导体能带工程的新成果，在理论和实验方面均取得了令人瞩目的进展。该器件具有较高的输出功率、卓越的光束质量和紧凑的结构。

简介：

简介：演示单色光的干涉普遍采用牛顿环实验,其通常的装置[1]—[4]如图1所示。演示所用的光源是一盏能够发出单色光的灯。按照图1,由钠光灯发出的黄光通过分光板反射到平凸透镜并有部分到达玻璃板上面。结果,由透镜和玻璃板表面反射的光通过分光板进入低倍显微镜。从显微镜中可以观察到一系列明暗相间的条纹,即牛顿环。干涉图样是由平凸透镜的曲面和玻璃平板上表面两处反射光的叠加而形成的。从其它表面反射的光不发生干涉,因为钠光灯发出黄光的相干长度小于这些表面之间的间隔。

简介：

简介：本文介绍了化学激光器的工作原理，概述了其研究现状和作为高能激光武器的一些应用，最后简述了化学激光器的发展趋势及应用前景。

简介：由元素六公司开发的高光学质量金刚石是一种新型激光器的核心材料，这种新型激光器正显示出令人鼓舞的结果。该工作将研发出功能强大的微型激光器，它将在常规激光器之外的诸多领域获得新应用，例如水下成像、医学成像、眼科学以及癌症治疗等。

简介：中红外波段光在大气环境监测、医学、特殊环境远距离监控以及光谱学研究等诸多领域有重要的应用价值。产生中红外激光主要有以下技术途径：气体激光器、化学激光器、二极管激光器、稀土掺杂固体激光器、光纤激光器和光参量振荡器（OPO）等。基于OPO技术的可调谐中红外固体激光器由于其具有波长调谐范围宽（2～12μm）、转换效率高、结构紧凑、重量轻、维护简单等特点。

简介：日本晤和光电公司研制出一种小型、高输出连续振荡的全固体绿激光器。

简介：日本分子科学研究所分子控制激光开发研究中心与苏联有关研究机构联合研制出一种高输出全固体波长可调紫外激光器。将该激光器与光增强器组合在一起，可获得波长％grim、脉冲宽度lns、脉冲能量14M的激光脉冲。

简介：<正>化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808nmGaAs激光器晶片的能力。808nmGaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。

简介：德国莱茵金属公司一直以来致力于激光武器的研究，其研制出的一系列高能激光器系统能够摧毁基础设施，具备反火箭弹、炮弹、迫击炮弹与导弹（C-RAM），以及毁伤无人机和轻武器目标等效能。而通过各种测试与试验，不断提高高能激光武器系统的作战效能。