简介：本文主要介绍贴片胶的特性和使用方法,同时还介绍了点胶工艺的一般技术要求,并给出了典型温度曲线.

简介：随电子产品信号完整性要求的增加,印制板特性阻抗控制精度要求增严。特性阻抗的高精度控制是产品设计、过程控制与测量技术三者的综合体现,但阻抗测试不准或判断失误将让前述二者前功尽弃。为了更深入的探讨特性阻抗的测试技术,本文在简述TDR测试原理和测试方法的基础上,详尽介绍了TDR测试曲线与设计资料间的密切关联和阻抗板件生产过程中的阻抗监测技术,并首次阐述了阻抗测试过程中的阻抗不匹配对阻抗测量结果的影响。

简介：PCB中特性阻抗的控制与设计,决定着最终产品传输信号的好坏。而在加工PCB环节中,对阻抗的影响因素有诸如线宽/间距、铜厚、阻焊厚度等因素,本文将针对阻焊油墨对PCB特性阻抗的影响做简要的论述。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：大部分并行总线和高速串行总线的区别主要在于发送端和接收端不同的同步方式。由于其很高的复杂性，总线时钟结构成为芯片架构的最主要部分（表1）。

简介：1.前言印制线路板的生产过程是一个极其复杂的过程。它集数十个加工工序于一体,所应用到的材料有几十种,甚至上百种。因而印制线路板生产过程中所产生的污染物是多种的,其污染物的形态也是比较复杂的。印制板生产过程所产生的污染物,既有固体废物,又有废水,废液,还行废气;既有有害的重金属,又有有害的非金属,同时也有大量的有机物产生。就其存在的形态而言,有以游离状态存在的污

简介：象硅晶片制造商那样,出现了由PCB制造商所采纳并分工协同来推行这种技术。由于用户对便携性的强烈要求,因而对功率、可维护性、功能特性和重量等方面把电子工业推向到新的时代。这个时代将改变着互连技术的等级(水平),包括硅晶片制造、PCB制造、机架(壳)的屏蔽直至大尺寸芯片所采用的冷却方法。在讨论这些新的要求中,出现了制造商分工协同工作。为了制造先进的半导体互连的金属化要

简介：快速哈达马变换在3G无线通信中具有广泛的应用。本文在分析快速哈达马变换算法的基础上提出了两种快速哈达马变换的折叠结构，并分别分析了这两种折叠结构的电路结构、时钟频率要求、资源消耗等因素。最后给出了这两种电路结构在AlteraFPGA上实现的对比情况。

简介：主要介绍了不对称结构刚挠结合板的设计难点，并对相应技术难点，提出了改善方法。

简介：BlackFin是由AD公司和Intel公司共同开发的DSP,采用了一种新型的结构MSA。通过集成业界领先的丰富的系统外设和存储器以及动态电源管理和工业标准接口,BlackfinDSP系列成为下一代需要将RISC式编程、多媒体支持和前沿的信号处理等集成在片内的DSP的选择平台,用户可以快速开发出低成本的解决方案而无需昂贵的外部组件。

简介：随着电子、通讯产业的飞速发展,高频、RF设计越来越广泛,PCB上越来越多的运用到高频材料来满足信号传输的要求。为了满足客户对信号完整性以及信号接收与屏蔽匹配性等的要求,在PCB设计上经常采用混压及设计盲槽等方式,来满足其信号传输速度和灵敏度,但给PCB制造带来了一些其它工艺问题。通过对PTFE材料+热塑性PP金属盲槽流胶、成型板边毛边等关键工艺问题进行探讨,提供一种简单可行的解决方案与同行共勉。

简介：非一致Cache体系结构（NUCA）几乎已经成为未来片上大容量Cache的发展方向。本文指出同构单芯片多处理器的设计主要有多级Cache设计的数据一致性问题，核间通信问题与外部总线效率问题，我们也说明多处理器设计上的相应解决办法。最后给出单核与双核在性能、功耗的比较，以及双核处理器的布局规划图。利用双核处理器，二级Cache控制器与AXI总线控制器等IP提出一个可供设计AXI总线SoC的非一致Cache体系结构平台。

简介：在采用JPEG2000算法的图像压缩芯片结构研究中，我们发现编码(EBCOT)部分的计算结构是相当复杂的。其中率失真计算结构是否合理，直接关系到编码算法的效率。本文着重阐述了完成率失真浮点计算所必需的硬件结构；提出了新型的专用于率失真计算的除法算法及其结构；在保证计算精度和速度的前提下，最大限度地降低了计算结构的复杂度。本论文提出的计算结构已通过RTL级源代码和综合布线后门级仿真，并经过XilinxFPGA测试线路板上运行验证。为确保JEPG2000图像编码芯片的最终成功流片解决了一个关键问题。

简介：本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分，即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600VVDMOS的外延电阻率和厚度，一种600VVDMOS终端保护环结构被成功设计出来。

简介：本文讲述了一种非对称结构刚挠结合板的制作方法，以12层、5个刚性段分支、2种刚性段厚度的刚挠结合板的制作为范例，突出了前期策划设计（包括叠层设计、工艺流程设计、关键点设计）和制作过程中的难点及控制技巧，积累了制作此类非对称结构刚挠结合板的生产经验。

简介：从全球来看,集成电路产业结构正在进行一次深刻的调整,这次调整具有以下三个特点:1、随着芯片设计、制造、封装三业并起,IC设计业逐渐成为一个新兴的、独立的高技术产业;2、随着芯片集成度的不断增加,IC设计水平越来越成为制约集成电路整个产业发展的瓶颈;3、随着国际产业的调整和中国加入WTO,许多IC制造、封装企业将把重心向发展中国家转

简介：本文设计了一种适用于高清晰数字电视（HDTV）接收芯片的全数字正交幅度调制器（QAM）的均衡器。该均衡器由前馈滤波器、误差判别电路和系数更新电路以及后馈滤波器构成。该均衡器采用了常模算法（CMA）和判决导引最小均方算法（DD-LMS）相结合的算法。重点给出了均衡器的VLSI实现、两种算法间切换的依据、步长的选择以及抽头系数的确定。同时在电路上采用了逻辑简化、重编码、电路时分复用等简化和优化方法来实现性能、面积和功耗的折衷。

简介：本文给出了利用0．18umCMOS工艺设计的5．2GHz低噪声放大器。在1．8V电压下，工作电流为24mA增益为15．8dB噪声系数为1．4dB.

简介：2013年2月16日，国家发改委发布2013年第21号令，针对2011年3月27日国家发展改革委公布的第9号令《产业结构调整指导目录（2011年本）》的有关条款进行了修正。第21号令中指出，为更好地适应转变经济发展方式的需要，根据《国务院关于发布实施〈促进产业结构调整暂行规定〉的决定》（国发[2005]40号），国家发改委同国务院有关部门对《产业结构调整指导目录（2011年本）》有关条目进行了调整，形成了《国家发展改革委关于修改〈产业结构调整指导目录（2011年本）》有关条款的决定》，现予公布，自2013年5月1日起施行。

简介：对于外层挠性金手指有PI增强结构刚挠板,现阶段制作生产效率极低,品质很难管控。对于此类刚挠板的制作,本文开发了一种新的制作工艺,可以节省成本,做至较高成品率。